GaN (窒化ガリウム) インテリジェント パワー モジュール (IPM)
TI の統合型 GaN (窒化ガリウム) インテリジェント パワー モジュール (IPM) で高電圧モーター ドライブ アプリケーションの電力効率を最大化
TI の統合型 GaN IPM は、99% を上回るインバータ効率を達成し、外部ヒートシンクを不要にするとともに、放熱性能の向上と電力損失の低減を実現します。高度な集積化と電力効率の向上がソリューションの省サイズ化とシステム レベルのコスト削減を可能にします。デッドタイムと伝搬遅延が非常に短いため、電流高調波の低減と高精度の電流センシングにより、音響性能が向上します。電力効率の最大化、逆方向回復時間ゼロ、高精度スルーレート制御、短絡/過電流保護により、システムの信頼性が向上し、モーター ドライブの長寿命化が可能になります。
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TI の GaN IPM の利点
システム効率の向上
TI の各種インテリジェント パワー モジュールは、オン抵抗の小さい高電圧 GaN デバイスを内蔵しており、IGBT や MOSFET モジュールに比べてインバータの効率を 2% 向上させ、電力損失を 50% 以上低減することができます。
モーター ドライブの長寿命化
スルーレート制御とマルチレベル保護機能を内蔵することにより、モーターの発熱の低減、電力効率の最大化、モーターの寿命全体にわたる絶縁性能の向上を実現できます。
静かで精度の高いモーター動作を実現
短い伝搬遅延により高精度電流センシングを実現し、短いデッドタイムにより電流高調波を低減します。低デューティ サイクル対応により、モーター速度の動作範囲を広げることができます。
電力密度の向上とシステム コストの削減
ヒートシンクを不要にし、電流センシング アンプと保護機能を内蔵することで、システム サイズを最大 60% 縮小できます。