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絶縁型スイッチ ドライバ（外部 FET）
最大 5k VRMS の強化絶縁、複数のゲート ドライブ電圧、障害診断オプションを備え、絶縁バリアを介して外部パワー スイッチ（MOSFET、IGBT、SiC、SCR）を制御します。
絶縁型スイッチ (内部 FET)
最大 1.2kV、50mA の高電圧 MOSFET を、最大 3.75k VRMS の基本絶縁を備えた絶縁バリアを介して制御します。複数のチャネル オプションと 2mA のアバランシェ電流保護もサポートしています。
抵抗デバイダ搭載、高電圧スイッチ
400V と 800V のバッテリ管理システム向けに構成可能な高精度の抵抗デバイダを内蔵した 1,200V スイッチで、高電圧測定を簡素化できます。
関連カテゴリ
新製品
TI のソリッドステート リレー (半導体リレー) の利点
システムの信頼性向上 & 業界最高レベルの絶縁性能
設計内に存在する可動部品の数を減らし、最大 3.75kVrms の基本絶縁と、最大 5kVrms の強化絶縁を実現することができます。
電力 & 信号絶縁の統合
TI の半導体リレーは、絶縁バリアを通過する形で電力と信号を伝送する機能をシングル チップに統合しており、ソリューションのサイズとコストを低減するのに役立ちます。
システムの安全性向上に貢献する高精度
TI の半導体リレーとバッテリ モニタを 800V のバッテリ管理システムに組み合わせると、絶縁障害を迅速かつ高精度で検出できます。
技術リソース
How to achieve higher-reliability isolation and a smaller solution size with solid
Why Pre-Charge Circuits Are Necessary in High Voltage Systems
大容量 Y キャパシタ抵抗性ブリッジ DC 絶縁監視デバイスの設計 上の検討事項
主なアプリケーションの概要
設計と開発に役立つリソース
ソリッド ステート リレー (半導体リレー) 向け、過電流と過熱保護のリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、半導体リレーに関連する過電流保護と過熱保護の実現方法を提示します。このリファレンス デザインは、 TPSI3050-Q1 5kVRMS 強化絶縁型スイッチ ドライバを採用しています。TPSI3050-Q1 デバイスは、絶縁を実現すると同時に信号と電力を 2 次側に伝送するラミネート トランスを内蔵しています。その結果、絶縁型バイアス電源が不要になります。加えて、TPSI3050-Q1 デバイスは、高電圧 (HV) 側にある外部回路に電力を供給できます。このリファレンス デザインは、最大 4A の負荷条件で、最大 500VDC または 350VAC (...)
半導体リレー向けゼロクロス スイッチングのリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、半導体リレーを使用してゼロクロス スイッチング (ZCS) を実現する方法を提示します。このリファレンス デザインは、TPSI3050-Q1 絶縁型スイッチ ドライバを採用しています。TPSI3050-Q1 デバイスは、絶縁を実現すると同時に信号と電力を 2 次側に伝送するラミネート トランスを内蔵しています。その結果、絶縁型バイアス電源が不要になります。また、 TPSI3050-Q1 デバイスは、高電圧 (HV) 側にある外部回路に補助電流 (IAUX) を供給できます。ZCS (ゼロ電流スイッチング) を実現すると同時に、低電圧 (LV) と HV (...)