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CSD75208W1015

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-20 V, P-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-Common-Source-WLP 1 mm x 1,5 mm, 108 mOhm, Gate-ESD-Sc

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Produktdetails

VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 108 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 150 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.23 QGS (typ) (nC) 0.48 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Dual Common Source Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 108 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 150 VGSTH typ (typ) (V) -0.8 QG (typ) (nC) 1.9 QGD (typ) (nC) 0.23 QGS (typ) (nC) 0.48 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.6 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
DSBGA (YZC) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection –3 kV
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • Dual P-Channel MOSFETs
  • Common Source Configuration
  • Small Footprint 1 mm × 1.5 mm
  • Gate-Source Voltage Clamp
  • Gate ESD Protection –3 kV
  • Pb Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free

This device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.

This device is designed to deliver the lowest on-resistance and gate charge in the smallest outline possible with excellent thermal characteristics in an ultra-low profile. Low on-resistance coupled with the small footprint and low profile make the device ideal for battery operated space constrained applications.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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More literature WCSP Handling Guide 07 Nov 2019
Application note AN-1112 DSBGA Wafer Level Chip Scale Package (Rev. AI) 14 Jun 2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Simulationsmodell

CSD75208W1015 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM131A.ZIP (2 KB) - PSpice Model
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Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
DSBGA (YZC) 6 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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