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SN74HC10-EP

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Enhanced product 3-ch, 3-input, 2-V to 6-V 5.2 mA drive strength NAND gate

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SN74HC10-EP

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Produktdetails

Technology family HC Supply voltage (min) (V) 2 Supply voltage (max) (V) 6 Number of channels 3 Inputs per channel 3 IOL (max) (mA) 5.2 IOH (max) (mA) -5.2 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 28 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -40 to 125
Technology family HC Supply voltage (min) (V) 2 Supply voltage (max) (V) 6 Number of channels 3 Inputs per channel 3 IOL (max) (mA) 5.2 IOH (max) (mA) -5.2 Input type Standard CMOS Output type Push-Pull Features High speed (tpd 10- 50ns) Data rate (max) (Mbps) 28 Rating HiRel Enhanced Product Operating temperature range (°C) -40 to 125
SOIC (D) 14 51.9 mm² 8.65 x 6 TSSOP (PW) 14 32 mm² 5 x 6.4
  • Controlled Baseline
    • One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
  • Extended Temperature Performance of –40°C to 125°C
  • Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
  • Enhanced Product-Change Notification
  • Qualification Pedigree
  • Wide Operating Voltage Range of 2 V to 6 V
  • Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads
  • Low Power Consumption, 20-µA Max ICC
  • Typical tpd = 9 ns
  • ±4-mA Output Drive at 5 V
  • Low Input Current of 1 µA Max

Component qualification in accordance with JEDEC and industry standards to ensure reliable operation over an extended temperature range. This includes, but is not limited to, Highly Accelerated Stress Test (HAST) or biased 85/85, temperature cycle, autoclave or unbiased HAST, electromigration, bond intermetallic life, and mold compound life. Such qualification testing should not be viewed as justifying use of this component beyond specified performance and environmental limits.
  • Controlled Baseline
    • One Assembly/Test Site, One Fabrication Site
  • Extended Temperature Performance of –40°C to 125°C
  • Enhanced Diminishing Manufacturing Sources (DMS) Support
  • Enhanced Product-Change Notification
  • Qualification Pedigree
  • Wide Operating Voltage Range of 2 V to 6 V
  • Outputs Can Drive Up To 10 LSTTL Loads
  • Low Power Consumption, 20-µA Max ICC
  • Typical tpd = 9 ns
  • ±4-mA Output Drive at 5 V
  • Low Input Current of 1 µA Max

Component qualification in accordance with JEDEC and industry standards to ensure reliable operation over an extended temperature range. This includes, but is not limited to, Highly Accelerated Stress Test (HAST) or biased 85/85, temperature cycle, autoclave or unbiased HAST, electromigration, bond intermetallic life, and mold compound life. Such qualification testing should not be viewed as justifying use of this component beyond specified performance and environmental limits.

The SN74HC10 device contains three independent 3-input NAND gates. It performs the Boolean function Y = (A • B • C)\ or Y = A\ + B\ + C\ in positive logic.

The SN74HC10 device contains three independent 3-input NAND gates. It performs the Boolean function Y = (A • B • C)\ or Y = A\ + B\ + C\ in positive logic.
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Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 15
Typ Titel Datum
* Data sheet SN74HC10-EP datasheet 06 Jan 2004
* VID SN74HC10-EP VID V6204688 21 Jun 2016
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Application note Live Insertion 01 Okt 1996
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Application note Using High Speed CMOS and Advanced CMOS in Systems With Multiple Vcc 01 Apr 1996

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (D) 14 Ultra Librarian
TSSOP (PW) 14 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

Bestellen & Qualität

Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
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