Designed to Reduce Reflection Noise
Repetitive Peak Forward Current to 200mA
16-Bit Array Structure Suited for Bus-Oriented Systems
Package Options Include Plastic Small-Outline Packages and Standard Plastic 300-mil DIPs

Designed to Reduce Reflection Noise
Repetitive Peak Forward Current to 200mA
16-Bit Array Structure Suited for Bus-Oriented Systems
Package Options Include Plastic Small-Outline Packages and Standard Plastic 300-mil DIPs

This Schottky barrier diode bus-termination array is designed to reduce reflection noise on memory bus lines. This device consists of a 16-bit high-speed Schottky diode array suitable for clamping to V_CC and/or GND.

The SN74S1053 is characterized for operation from 0°C to 70°C.

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	Typ	Titel		Datum
*	Data sheet	SN74S1053 datasheet (Rev. A)		01 Aug 1997

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