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UCC21530

AKTIV

Isolierter Zweikanal-Gate-Treiber, 5,7 kVrms, 4 A/6 A mit EN & DT-Pins im DWK-Gehäuse für IGB

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UCC21551 AKTIV 4A/6A 5kVRMS zweikanaliger isolierter Gate-Treiber mit EN- und DT-Pins für IGBT und SiC Tighter VCCI range supporting digital controller thresholds. New DT equation. Increased CMTI and wider operating temperature range.

UCC21530

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Produktdetails

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, MOSFET, SiCFET Peak output current (A) 6 Features Enable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 25 Output VCC/VDD (min) (V) 14.7 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 18 Propagation delay time (µs) 0.019 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Catalog Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 6 Fall time (ns) 7 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Safety-related certifications (planned):
    • 8000VPK reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.7kVRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC certification per GB4943.1-2022
  • Universal: dual low-side, dual high-side or half-bridge driver
  • Wide body SOIC-14 (DWK) package
  • 3.3mm spacing between driver channels
  • Switching parameters:
    • 33ns typical propagation delay
    • 20ns minimum pulse width
    • 6ns maximum pulse-width distortion
  • Common-mode transient immunity (CMTI) greater than 125V/ns
  • 4A peak source, 6A peak sink output
  • TTL and CMOS compatible inputs
  • 3V to 18V input VCCI range
  • Up to 25V VDD output drive supply
  • Programmable overlap and dead time
  • Junction temperature range –40 to +150°C
  • Safety-related certifications (planned):
    • 8000VPK reinforced Isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
    • 5.7kVRMS isolation for 1 minute per UL 1577
    • CQC certification per GB4943.1-2022

The UCC21530 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.

The UCC21530 is an isolated dual-channel gate driver with 4A source and 6A sink peak current. It is designed to drive IGBTs, Si MOSFETs, and SiC MOSFETs up to 5MHz.

The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7kVRMS reinforced isolation barrier, with a minimum of 125V/ns common-mode transient immunity (CMTI). Internal functional isolation between the two secondary-side drivers allows a working voltage of up to 1850V.

This device can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver with programmable dead time (DT). The EN pin pulled low shuts down both outputs simultaneously and allows for normal operation when left open or pulled high. As a fail-safe measure, primary-side logic failures force both outputs low.

The device accepts VDD supply voltages up to 25V. A wide input VCCI range from 3V to 18V makes the driver suitable for interfacing with both analog and digital controllers. All the supply voltage pins have under voltage lock-out (UVLO) protection.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet UCC21530 4A, 6A, 5.7kVRMS Isolated Dual-Channel Gate Driver With 3.3mm Channel-to-Channel Spacing datasheet (Rev. D) PDF | HTML 08 Nov 2024
Certificate VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 29 Feb 2024
Application note Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) PDF | HTML 25 Jan 2024
Certificate UCC215xx CQC Certificate of Product Certification 17 Aug 2023
Certificate UL Certification E181974 Vol 4. Sec 7 (Rev. C) 02 Dez 2022
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 16 Dez 2021
EVM User's guide Using the UCC21520EVM-286, UCC21521CEVM-286, and UCC21530EVM286 User's Guide (Rev. C) PDF | HTML 21 Okt 2021
Certificate CSA Product Certificate (Rev. A) 15 Aug 2019
Technical article Designing highly efficient, powerful and fast EV charging stations PDF | HTML 06 Aug 2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

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Benutzerhandbuch: PDF | HTML
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Simulationsmodell

UCC21530 PSpice Transient Model

SLUM655.ZIP (23 KB) - PSpice Model
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Design guide: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (DWK) 14 Ultra Librarian
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