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UCC21540-Q1

AKTIV

5,7 kVrms, 4 A/6 A zweikanaliger isolierter Gate-Treiber mit 8 V UVLO und 3,3 mm Channel-to-Channel-

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Drop-In-Ersatz mit gegenüber dem verglichenen Baustein verbesserter Funktionalität
UCC21550-Q1 AKTIV Isolierter Zweikanal-Gate-Treiber mit 4 A/6 A, 5 kVRMS, DIS- und DT-Pins für IGBT Improved CMTI, faster VDD startup

Produktdetails

Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
Number of channels 2 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1414 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, MOSFET Peak output current (A) 6 Features Disable, Programmable dead time Output VCC/VDD (max) (V) 18 Output VCC/VDD (min) (V) 9.2 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.028 Input threshold CMOS, TTL Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 1414 Rise time (ns) 5 Fall time (ns) 6 Undervoltage lockout (typ) (V) 8
SOIC (DWK) 14 106.09 mm² 10.3 x 10.3

The UCC21540-Q1 device is an isolated dual channel gate driver with programmable dead time and wide temperature range. This device exhibits consistent performance and robustness under extreme temperature conditions. It is designed with 4 A peak-source and 6 A peak-sink current to drive power MOSFET, IGBT, and GaN transistors.

The UCC21540-Q1 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7-kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125-V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and negative voltage handling for up to –5-V spikes for 50 ns on input pins. All supplies have UVLO protection.

The UCC21540-Q1 device is an isolated dual channel gate driver with programmable dead time and wide temperature range. This device exhibits consistent performance and robustness under extreme temperature conditions. It is designed with 4 A peak-source and 6 A peak-sink current to drive power MOSFET, IGBT, and GaN transistors.

The UCC21540-Q1 can be configured as two low-side drivers, two high-side drivers, or a half-bridge driver. The input side is isolated from the two output drivers by a 5.7-kVRMS isolation barrier, with a minimum of 125-V/ns common-mode transient immunity (CMTI).

Protection features include: resistor programmable dead time, disable feature to shut down both outputs simultaneously, and negative voltage handling for up to –5-V spikes for 50 ns on input pins. All supplies have UVLO protection.

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Das Handbuch für funktionale Sicherheit UCC21540-Q1 und der Bericht zu FIT-Rate, FMD und Pin-FMA für funktionale Sicherheit sind verfügbar. Jetzt anfordern

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Technische Dokumentation

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Alle anzeigen 6
Typ Titel Datum
* Data sheet UCC21540-Q1 Reinforced Isolation Dual-Channel Gate Driver datasheet (Rev. D) PDF | HTML 23 Aug 2024
Certificate VDE Certificate for Reinforced Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. S) 29 Feb 2024
Application note Impact of Narrow Pulse Widths in Gate Driver Circuits (Rev. A) PDF | HTML 25 Jan 2024
Certificate UCC21540 CQC Certificate of Product Certification 17 Aug 2023
Application brief The Use and Benefits of Ferrite Beads in Gate Drive Circuits PDF | HTML 16 Dez 2021
Certificate UL Certification E181974 Vol 4. Sec 9 (Rev. A) 22 Jul 2019

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

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  • Bausteinkennzeichnung
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  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
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Beinhaltete Information:
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