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TXS0101

ACTIVO

Conmutador de nivel de tensión bidireccional de 1 bit para aplicaciones de drenaje abierto e inserci

Detalles del producto

Technology family TXS Bits (#) 1 Data rate (max) (Mbps) 24 High input voltage (min) (V) 1.45 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) 0 IOL (max) (mA) 0 Supply current (max) (µA) 14.4 Features Edge rate accelerator, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Transmission Gate Output type 3-State, Transmission Gate Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family TXS Bits (#) 1 Data rate (max) (Mbps) 24 High input voltage (min) (V) 1.45 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.65 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) 0 IOL (max) (mA) 0 Supply current (max) (µA) 14.4 Features Edge rate accelerator, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Transmission Gate Output type 3-State, Transmission Gate Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YZP) 6 2.1875 mm² 1.75 x 1.25 SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8 SOT-5X3 (DRL) 6 2.56 mm² 1.6 x 1.6 SOT-SC70 (DCK) 6 4.2 mm² 2 x 2.1
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22:
    • A Port:
      • 2500V Human-Body Model (A114-B)
      • 200V Machine Model (A115-A)
      • 1500V Charged-Device Model (C101)
    • B port:
      • 8kV Human-Body Model (A114-B)
      • 200V Machine Model (A115-A)
      • 1500V Charged-Device Model (C101)
  • No direction-control signal needed
  • Maximum data rates:
    • 24Mbps (push pull)
    • 2Mbps (open drain)
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ package
  • 1.65V to 3.6V on A port and 2.3V to 5.5V on B port ( VCCA ≤ VCCB)
  • VCC isolation feature – if either VCC input is at GND, both ports are in the high-impedance state
  • No power-supply sequencing required – either VCCA or VCCB can be ramped first
  • Ioff supports partial-power-down mode operation
  • Latch-up performance exceeds 100mA per JESD 78, class II
  • ESD protection exceeds JESD 22:
    • A Port:
      • 2500V Human-Body Model (A114-B)
      • 200V Machine Model (A115-A)
      • 1500V Charged-Device Model (C101)
    • B port:
      • 8kV Human-Body Model (A114-B)
      • 200V Machine Model (A115-A)
      • 1500V Charged-Device Model (C101)
  • No direction-control signal needed
  • Maximum data rates:
    • 24Mbps (push pull)
    • 2Mbps (open drain)
  • Available in the Texas Instruments NanoFree™ package
  • 1.65V to 3.6V on A port and 2.3V to 5.5V on B port ( VCCA ≤ VCCB)
  • VCC isolation feature – if either VCC input is at GND, both ports are in the high-impedance state
  • No power-supply sequencing required – either VCCA or VCCB can be ramped first
  • Ioff supports partial-power-down mode operation

This one-bit non-inverting translator uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track VCCA. VCCA accepts any supply voltage from 1.65V to 3.6V. VCCA must be less than or equal to VCCB . The B port is designed to track VCCB. VCCB accepts any supply voltage from 2.3V to 5.5V. This allows for low voltage bidirectional translation between any of the 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V voltage nodes.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

To put the device in the high-impedance state during power up or power down, tie OE to GND through a pull-down resistor; the current-sourcing capability of the driver determines the minimum value of the resistor.

This one-bit non-inverting translator uses two separate configurable power-supply rails. The A port is designed to track VCCA. VCCA accepts any supply voltage from 1.65V to 3.6V. VCCA must be less than or equal to VCCB . The B port is designed to track VCCB. VCCB accepts any supply voltage from 2.3V to 5.5V. This allows for low voltage bidirectional translation between any of the 1.8V, 2.5V, 3.3V, and 5V voltage nodes.

When the output-enable (OE) input is low, all outputs are placed in the high-impedance state.

To put the device in the high-impedance state during power up or power down, tie OE to GND through a pull-down resistor; the current-sourcing capability of the driver determines the minimum value of the resistor.

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Documentación técnica

Diseño y desarrollo

Para conocer los términos adicionales o los recursos necesarios, haga clic en cualquier título de abajo para ver la página de detalles cuando esté disponible.

Placa de evaluación

5-8-LOGIC-EVM — Módulo de evaluación lógica genérico para encapsulados DCK, DCT, DCU, DRL y DBV de 5 a 8 pines

Módulo de evaluación (EVM) flexible diseñado para admitir cualquier dispositivo que tenga un encapsulado DCK, DCT, DCU, DRL o DBV en un recuento de 5 a 8 pines.
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Guía del usuario: PDF | HTML
Modelo de simulación

HSPICE Model for TXS0101

SCEJ264.ZIP (96 KB) - HSpice Model
Modelo de simulación

TXS0101 IBIS Model

SCEM527.ZIP (24 KB) - IBIS Model
Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
DSBGA (YZP) 6 Ultra Librarian
SOT-23 (DBV) 6 Ultra Librarian
SOT-5X3 (DRL) 6 Ultra Librarian
SOT-SC70 (DCK) 6 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Soporte y capacitación

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El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene preguntas sobre la calidad, el paquete o el pedido de productos de TI, consulte el soporte de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

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