製品詳細

Package name SOT-23-3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 137.5 Vrwm (V) 18 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 2 IO capacitance (typ) (pF) 4 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 5.5 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 22 Dynamic resistance (typ) 0.32 Interface type General purpose, RS-485/432/422/232 Breakdown voltage (min) (V) 19 IO leakage current (max) (nA) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
Package name SOT-23-3 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 137.5 Vrwm (V) 18 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 2 IO capacitance (typ) (pF) 4 IEC 61000-4-2 contact (±V) 30000 IEC 61000-4-5 (A) 5.5 Features ESD Protection Clamping voltage (V) 22 Dynamic resistance (typ) 0.32 Interface type General purpose, RS-485/432/422/232 Breakdown voltage (min) (V) 19 IO leakage current (max) (nA) 50 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
SOT-23 (DBZ) 3 6.9204 mm² 2.92 x 2.37
  • IEC 61000-4-5 サージ保護:
    • 5.5A (8/20µs)
  • IEC 61000-4-2 ESD 保護:
    • ±30kV 接触放電
    • ±30kV エア ギャップ放電
  • 18V の動作電圧
  • I/O 容量:
    • 4pF (標準値)
  • 正と負の電圧スイングをサポートする双方向極性
  • 1 つの部品で完全な ESD 保護機能を実現できる 2 チャネル デバイス
  • 小型のリード付き SOT-23 で低コストの自動光学検査 (AOI) が可能
  • IEC 61000-4-5 サージ保護:
    • 5.5A (8/20µs)
  • IEC 61000-4-2 ESD 保護:
    • ±30kV 接触放電
    • ±30kV エア ギャップ放電
  • 18V の動作電圧
  • I/O 容量:
    • 4pF (標準値)
  • 正と負の電圧スイングをサポートする双方向極性
  • 1 つの部品で完全な ESD 保護機能を実現できる 2 チャネル デバイス
  • 小型のリード付き SOT-23 で低コストの自動光学検査 (AOI) が可能

ESD652 はバッテリ管理システムその他の通信ラインを保護するための双方向 ESD 保護ダイオードです。ESD652 は、IEC 61000-4-2 国際規格に規定されている最大レベルを超える ESD 衝撃 (接触 ±30kV、気中 ±30kV) を吸収できるように仕様が規定されています。IEC 61000-4-5 規格に準拠して、ピーク パルス電流が最大 5.5A の 8/20µs のサージをクランプできます。

このデバイスの IO 容量は 4pF (標準値) で、高速インターフェイス保護を実現しています。正方向と負方向のクランプ電圧が低いため、過渡イベントからシステムを保護できます。産業用システムには高いレベルの堅牢性と信頼性が要求されるため、この保護機能は重要です。

ESD652 は、小型のリード付き SOT-23 (DBZ) パッケージで供給されます。

ESD652 はバッテリ管理システムその他の通信ラインを保護するための双方向 ESD 保護ダイオードです。ESD652 は、IEC 61000-4-2 国際規格に規定されている最大レベルを超える ESD 衝撃 (接触 ±30kV、気中 ±30kV) を吸収できるように仕様が規定されています。IEC 61000-4-5 規格に準拠して、ピーク パルス電流が最大 5.5A の 8/20µs のサージをクランプできます。

このデバイスの IO 容量は 4pF (標準値) で、高速インターフェイス保護を実現しています。正方向と負方向のクランプ電圧が低いため、過渡イベントからシステムを保護できます。産業用システムには高いレベルの堅牢性と信頼性が要求されるため、この保護機能は重要です。

ESD652 は、小型のリード付き SOT-23 (DBZ) パッケージで供給されます。

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技術資料

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* データシート ESD652 18V 双方向 ESD 保護、SOT-23 データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2024年 2月 22日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

ESDEVM — ESD の評価基板

静電気敏感性デバイス (ESD) の評価基板 (EVM) は、TI の ESD 製品ラインアップのほとんどに対応する開発プラットフォームです。この基板には、任意の数のデバイスをテストできるように、従来型の ESD フットプリントがすべて実装されています。デバイスは、適切なフットプリントに半田付けしてからテストすることができます。標準的な高速 ESD ダイオードの場合、インピーダンス制御されたレイアウトを実装することで、S パラメータを受け入れ、基板パターンの埋め込みを解除します。高速ではない ESD ダイオードの場合、テスト (...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOT-23 (DBZ) 3 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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