ISOS141-SEP

アクティブ

耐放射線特性、宇宙向け強化プラスチック・パッケージに封止、クワッドチャネル、3/1 デジタル・アイソレータ

製品詳細

Rating Space Integrated isolated power No Isolation rating Basic Number of channels 4 Forward/reverse channels 3 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5200 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.88 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.48 Creepage (min) (mm) 3.7 Clearance (min) (mm) 3.7
Rating Space Integrated isolated power No Isolation rating Basic Number of channels 4 Forward/reverse channels 3 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 100 Surge isolation voltage (VIOSM) (VPK) 5200 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 CMTI (min) (V/µs) 85000 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 2.25 Propagation delay time (typ) (µs) 0.0107 Current consumption per channel (DC) (typ) (mA) 0.88 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.48 Creepage (min) (mm) 3.7 Clearance (min) (mm) 3.7
SSOP (DBQ) 16 29.4 mm² 4.9 x 6
  • 放射線耐性
    • 総照射線量 (TID) 耐性 (ELDRS フリー) = 30krad (Si)
    • TID RLAT/RHA = 30krad(Si)
    • シングル・イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性:LET = 43MeV⋅cm 2/mg (125℃)
    • シングル・イベント誘電体破壊 (SEDR) 耐性:43MeV⋅cm 2/mg (V DC = 500V)
  • 宇宙用強化プラスチック (宇宙用 EP)
    • NASA ASTM E595 アウトガス仕様に適合
    • VID (Vendor Item Drawing) V62/21610
    • ミリタリー温度範囲 (-55℃~125℃)
    • 単一のウェハー製造施設
    • 単一のアセンブリ / テスト施設
    • 金ボンド・ワイヤ、NiPdAu リード仕上げ
    • ウェハー・ロットをトレース可能
    • 長期にわたる製品ライフ・サイクル
    • 長期にわたる製品変更通知
  • 600V RMS の連続動作電圧
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 部品認定プログラム
  • 100Mbps のデータ・レート
  • 広い電源電圧範囲:2.25V~5.5V
  • 2.25V/5.5V レベル変換
  • デフォルト出力は Low
  • 低消費電力:1.5mA/チャネル (標準値、1Mbps 時)
  • 小さい伝搬遅延時間:10.7ns (標準値、電源電圧 5V 時)
  • 小さいチャネル間スキュー4ns 以下 (電源電圧 5V 時)
  • CMTI:±100kV/µs (標準値)
  • システム・レベルの ESD、EFT、サージ、磁気耐性
  • 小型 QSOP (DBQ-16) パッケージ

  • 放射線耐性
    • 総照射線量 (TID) 耐性 (ELDRS フリー) = 30krad (Si)
    • TID RLAT/RHA = 30krad(Si)
    • シングル・イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性:LET = 43MeV⋅cm 2/mg (125℃)
    • シングル・イベント誘電体破壊 (SEDR) 耐性:43MeV⋅cm 2/mg (V DC = 500V)
  • 宇宙用強化プラスチック (宇宙用 EP)
    • NASA ASTM E595 アウトガス仕様に適合
    • VID (Vendor Item Drawing) V62/21610
    • ミリタリー温度範囲 (-55℃~125℃)
    • 単一のウェハー製造施設
    • 単一のアセンブリ / テスト施設
    • 金ボンド・ワイヤ、NiPdAu リード仕上げ
    • ウェハー・ロットをトレース可能
    • 長期にわたる製品ライフ・サイクル
    • 長期にわたる製品変更通知
  • 600V RMS の連続動作電圧
    • DIN VDE V 0884-11:2017-01
    • UL 1577 部品認定プログラム
  • 100Mbps のデータ・レート
  • 広い電源電圧範囲:2.25V~5.5V
  • 2.25V/5.5V レベル変換
  • デフォルト出力は Low
  • 低消費電力:1.5mA/チャネル (標準値、1Mbps 時)
  • 小さい伝搬遅延時間:10.7ns (標準値、電源電圧 5V 時)
  • 小さいチャネル間スキュー4ns 以下 (電源電圧 5V 時)
  • CMTI:±100kV/µs (標準値)
  • システム・レベルの ESD、EFT、サージ、磁気耐性
  • 小型 QSOP (DBQ-16) パッケージ

ISOS141-SEP 放射線耐性デバイスは、小型の 16 ピン QSOP パッケージに封止された高性能 4 チャネル・デジタル・アイソレータです。それぞれの絶縁チャネルにはロジック入力および出力バッファがあり、二重の容量性二酸化ケイ素 (SiO 2) 絶縁バリアによって分離されています。このデバイスは、100Mbps の高いデータ・レート、10.7ns の小さい伝搬遅延、4ns の小さいチャネル間スキューという特長によって低軌道 (LEO) 衛星用途に対応します。ISOS141-SEP デバイスは 3 つの順方向チャネルと 1 つの逆方向チャネルを備えており、入力電力または信号が失われた場合のデフォルト出力は Low です。マルチマスタ駆動アプリケーションのために、または消費電力を低減するために、イネーブル・ピンを使って各出力を高インピーダンスにすることができます。

ISOS141-SEP は、CMOS または LVCMOS デジタル I/O を絶縁すると同時に、高い電磁気耐性と低い放射を低消費電力で実現します。本デバイスは、革新的なチップ設計により、100kV/µs という優れた同相過渡耐性を備えているため、システム・レベルの ESD、EFT、サージを軽減できます。また、放射のコンプライアンスに簡単に対応できます。

ISOS141-SEP 放射線耐性デバイスは、小型の 16 ピン QSOP パッケージに封止された高性能 4 チャネル・デジタル・アイソレータです。それぞれの絶縁チャネルにはロジック入力および出力バッファがあり、二重の容量性二酸化ケイ素 (SiO 2) 絶縁バリアによって分離されています。このデバイスは、100Mbps の高いデータ・レート、10.7ns の小さい伝搬遅延、4ns の小さいチャネル間スキューという特長によって低軌道 (LEO) 衛星用途に対応します。ISOS141-SEP デバイスは 3 つの順方向チャネルと 1 つの逆方向チャネルを備えており、入力電力または信号が失われた場合のデフォルト出力は Low です。マルチマスタ駆動アプリケーションのために、または消費電力を低減するために、イネーブル・ピンを使って各出力を高インピーダンスにすることができます。

ISOS141-SEP は、CMOS または LVCMOS デジタル I/O を絶縁すると同時に、高い電磁気耐性と低い放射を低消費電力で実現します。本デバイスは、革新的なチップ設計により、100kV/µs という優れた同相過渡耐性を備えているため、システム・レベルの ESD、EFT、サージを軽減できます。また、放射のコンプライアンスに簡単に対応できます。

ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

技術資料

star =TI が選定したこの製品の主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアしてから、再度検索を試してください。
18 をすべて表示
種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート ISOS141-SEP 放射線耐性、高速 4 チャネル・デジタル・アイソレータ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2021年 3月 5日
* 放射線と信頼性レポート ISOS141-SEP Neutron Displacement Damage Characterization 2021年 3月 18日
* 放射線と信頼性レポート ISOS141-SEP Production Flow and Reliability Report 2021年 3月 18日
* 放射線と信頼性レポート ISOS141-SEP Quad-Channel Digital Isolator TID Report 2021年 3月 17日
* 放射線と信頼性レポート ISOS141-SEP Single-Event Latch-Up (SEL) Radiation Report 2021年 3月 17日
セレクション・ガイド TI Space Products (Rev. J) 2024年 2月 12日
証明書 VDE Certificate for Basic Isolation for DIN EN IEC 60747-17 (Rev. W) 2024年 1月 31日
技術記事 低軌道アプリケーションにおける宇宙用拡張製品による課題への対処方法 (Rev. A 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.A) PDF | HTML 2024年 1月 12日
技術記事 航太級強化產品如何因應低地球軌道應用的挑戰 (Rev. A) PDF | HTML 2024年 1月 11日
技術記事 우주 항공 강화 제품이 저지구 궤도 애플리케이션의 과제를 해결하는 방법 (Rev. A) PDF | HTML 2024年 1月 11日
証明書 UL Certificate of Compliance File E181974 Vol 4 Sec 6 (Rev. P) 2022年 8月 5日
アプリケーション概要 How to Isolate Signals with Digital Isolators in Emerging LEO Satellite Apps (Rev. A) PDF | HTML 2022年 7月 6日
技術記事 How space-grade digital isolation meets high radiation and immunity requirements i PDF | HTML 2021年 10月 14日
アプリケーション概要 Space-Grade, 30 krad, Isolated I2C Circuit PDF | HTML 2021年 6月 1日
アプリケーション概要 Space-Grade, 30-krad, Isolated CAN Serial Transceiver Circuit PDF | HTML 2021年 6月 1日
アプリケーション概要 Space-Grade, 30-krad, Isolated RS-422 Serial Transceiver Circuit PDF | HTML 2021年 6月 1日
技術記事 How to select the right digital isolator for your design PDF | HTML 2020年 10月 21日
技術記事 Top 9 design questions about digital isolators PDF | HTML 2019年 2月 4日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

DIGI-ISO-EVM — ユニバーサル・デジタル・アイソレータ評価モジュール

DIGI-ISO-EVM は、以下の 5 種類のパッケージのいずれかに封止されている、TI のシングルチャネル、デュアルチャネル、トリプルチャネル、クワッドチャネル、または 6 チャネル デジタル アイソレータ デバイスの評価に使用できる評価基板です。幅の狭い 8 ピン SOIC (D)、幅の広い 8 ピン SOIC (DWV)、幅の広い 16 ピン SOIC (DW)、超幅広 16 ピン SOIC (DWW)、16 ピン QSOP (DBQ) の各パッケージ。この評価基板 (EVM) は十分な数の Berg ピン (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

ISOS141-SEP IBIS Model

SLLM498.ZIP (63 KB) - IBIS Model
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SSOP (DBQ) 16 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関するお問い合わせは、TI サポートをご覧ください。​​​​​​​​​​​​​​

ビデオ