パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 VQFN (RRG) | 40 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 150 |
| パッケージ数量 | キャリア 2,000 | LARGE T&R |
LMG2610 の特徴
- 650V GaN パワー FET ハーフブリッジ
- 170mΩ ローサイドおよび 248mΩ ハイサイド GaN FET
- 伝搬遅延が小さく、ターンオン・スルーレート制御を調整可能な内蔵ゲート・ドライバ
- 広い帯域幅で高精度の電流検出エミュレーション
- ローサイド / ハイサイド・ゲート・ドライブ・インターロック
- ハイサイド・ゲート・ドライブ信号レベル・シフタ
- スマート・スイッチ付きブートストラップ・ダイオード機能
- ハイサイドの起動：8µs 未満
- ローサイド / ハイサイドのサイクルごとの過電流保護
- FLT ピン通知付きの過熱保護
- AUX アイドル静止電流：240µA
- AUX スタンバイ静止電流：50µA
- BST アイドル静止電流：60µA
- 電源および入力ロジック・ピン最大電圧：26V
- デュアル・サーマル・パッド付き 9mm x 7mm QFN パッケージ
LMG2610 に関する概要
LMG2610 は、スイッチ・モード電源アプリケーションの 75W 未満のアクティブ・クランプ・フライバック (ACF) コン バータに適した 650V GaN パワー FET ハーフブリッジで す。LMG2610 は、ハーフブリッジ・パワー FET、ゲート・ド ライバ、ブートストラップ・ダイオード、ハイサイド・ゲート・ド ライブ・レベル・シフタを 9mm x 7mm の QFN パッケージ に統合することで、設計の簡素化、部品点数の低減、基 板面積の低減を実現しています。
GaN FET の非対称の抵抗値は、ACF の動作条件に合 わせて最適化されています。プログラマブルなターンオン・ スルーレートにより、EMI とリンギングを制御できます。ロー サイド電流検出エミュレーションにより、従来の電流検出抵 抗方式よりも消費電力を低減でき、またローサイドのサー マル・パッドを冷却用 PCB 電源グランドに接続できます。
ハイサイド・ゲート・ドライブ信号レベル・シフタにより、外付 けソリューションに見られるノイズとバースト・モード電力消 費の問題を解消できます。スマート・スイッチ付き GaN ブ ートストラップ FET を使うと、ダイオードの順方向電圧降下 がなく、ハイサイド電源を過充電せず、逆方向回復電荷が ありません。
LMG2610 は、小さい静止電流と高速な起動時間によっ て、コンバータの軽負荷効率要件とバースト・モード動作 に対応しています。保護機能には、FET ターンオン・イン ターロック、低電圧誤動作防止 (UVLO)、サイクル単位の 電流制限、過熱シャットダウンが含まれます。