データシート
LMG3100R044
- 1.7mΩ の GaN FET とドライバを内蔵
- 電圧定格：連続 100V、パルス 120V
- ハイサイドのレベル シフトとブートストラップを内蔵
- 2 つの LMG3100 でハーフ ブリッジを形成
- 外付けのレベル シフタが不要
- 5V の外部バイアス電源
- 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
- 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
- ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
- 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
- 電源レールの低電圧誤動作防止保護
- 低消費電力
- 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
- 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
- 底面に底面冷却用の大型露出パッド
LMG3100 デバイスは、100V 連続、120V パルス、126A、ドライバを内蔵した、窒化ガリウム (GaN) FET です。このデバイスは、高周波 GaN FET ドライバによって駆動される 100V の GaN FET で構成されています。LMG3100 には、ハイサイドのレベル シフタとブートストラップ回路が組み込まれているので、追加のレベル シフタなしで、2 つの LMG3100 デバイスを使用してハーフ ブリッジを形成できます。
GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。ドライバおよび GaN FET は、ボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG3100 デバイスは、6.5mm × 4mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。
TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。
このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。
技術資料
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1 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LMG3100R017 100V、126A、ドライバ内蔵 GaN FET データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 最新英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 9月 6日 |
設計および開発
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評価ボード
LMG3100EVM-089 — LMG3100 の評価基板
LMG3100 評価基板 (EVM) は、外部 PWM (パルス幅変調) 信号と組み合わせて使用する小型で使いやすい電力段です。この基板は、1 個のハーフブリッジを使用して、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、他のコンバータいずれかのトポロジに構成することができます。この評価基板 (EVM) は 2 個の LMG3100 パワー モジュールを実装しており、各モジュールは、ドライバを内蔵した 100V 1.7mΩ の GaN FET を 1 個搭載しています。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| VQFN-FCRLF (VBE) | 15 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点