データシート
SN54SC8T541-SEP
- VID 未定
- 放射線耐性：
- 単一イベント ラッチアップ (SEL) 耐性：125℃で 43MeV-cm2/mg まで
- すべてのウェハー ロットについての 30krad(Si) までの吸収線量耐性放射線ロット受け入れテスト (TID RLAT)
- シングル イベント過渡 (SET) 特性：LET = 43MeV-cm2/mg (最大値)
-
幅広い動作範囲：1.2V～5.5V
-
単一電源電圧レベル シフタ：
-
昇圧変換：
-
1.2V から 1.8V
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1.5V から 2.5V
-
1.8V から 3.3V
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3.3V から 5.0V
-
-
降圧変換：
- 5.0V、3.3V、2.5V から 1.8V
- 5.0V、3.3V から 2.5V
- 5.0V から 3.3V
-
- 5.5V 耐圧入力ピン
- 標準ピン配置をサポート
- 5V または 3.3V の VCC で最大 150Mbps
- JESD 17 準拠で250mA 超のラッチアップ性能
- 宇宙用強化プラスチック
- 管理されたベースライン
- Au ボンド ワイヤと NiPdAu リード仕上げ
- NASA ASTM E595 アウトガス仕様に適合
- 単一の製造、アセンブリ、テスト施設
- 長期にわたる製品ライフ サイクル
- 製品のトレーサビリティ
SN54SC8T541-SEP には、3 ステート出力を備えた 8 つのバッファが内蔵されています。アクティブ Low の出力イネーブル ピン (OE1、OE2) は 8 つのチャネルをすべて制御し、この両方が Low のときのみ出力がアクティブになるよう構成されています。出力がイネーブルのとき、出力はアクティブになって Low または High に駆動されます。出力がディセーブルのとき、出力は高インピーダンス状態に設定されます。出力レベルは電源電圧 (VCC) を基準としており、1.8V、2.5V、3.3V、5V の CMOS レベルをサポートしています。
入力は低スレッショルド回路を使用して設計され、低電圧 CMOS 入力の昇圧変換 (例：1.2V 入力から 1.8V 出力、1.8V 入力から 3.3V 出力) をサポートします。また、5V 許容の入力ピンにより、降圧変換 (例：3.3V から 2.5V 出力) が可能です。
技術資料
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2 をすべて表示 | 種類 | タイトル | 最新の英語版をダウンロード | 日付 | |||
|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | SN54SC8T541-SEP 耐放射線特性、 3 ステート出力、ロジック レベル シフタ搭載、オクタル バッファ / ライン ドライバ データシート | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 4月 19日 |
| アプリケーション・ノート | Schematic Checklist - A Guide to Designing With Fixed or Direction Control Translators | PDF | HTML | 2024年 10月 2日 |
設計および開発
その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。
評価ボード
14-24-LOGIC-EVM — 14 ピンから 24 ピンの D、DB、DGV、DW、DYY、NS、PW の各パッケージに封止した各種ロジック製品向けの汎用評価基板
14-24-LOGIC-EVM 評価基板 (EVM) は、14 ピンから 24 ピンの D、DW、DB、NS、PW、DYY、DGV の各パッケージに封止した各種ロジック デバイスをサポートする設計を採用しています。
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| TSSOP (PW) | 20 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点