SN54SLC8T245-SEP

アクティブ

耐放射線特性、8 ビット、0.65V ~ 3.3V、方向制御型レベル シフタ

製品詳細

Technology family SLC Applications RGMII Bits (#) 8 High input voltage (min) (V) 0.4555 High input voltage (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 0.65 Vout (max) (V) 3.6 Data rate (max) (Mbps) 380 IOH (max) (mA) -12 IOL (max) (mA) 12 Supply current (max) (µA) 70 Features Output enable, Overvoltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, Balanced CMOS, Push-Pull Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
Technology family SLC Applications RGMII Bits (#) 8 High input voltage (min) (V) 0.4555 High input voltage (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 0.65 Vout (max) (V) 3.6 Data rate (max) (Mbps) 380 IOH (max) (mA) -12 IOL (max) (mA) 12 Supply current (max) (µA) 70 Features Output enable, Overvoltage tolerant inputs, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, Balanced CMOS, Push-Pull Rating Space Operating temperature range (°C) -55 to 125
TSSOP (PW) 24 49.92 mm² 7.8 x 6.4
  • VID V62/22604

  • 耐放射線特性:
    • 125℃において 43MeV-cm2/mg のシングル・イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性
    • すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの吸収線量 (TID) RLAT (Radiation Lot Acceptance Test)
  • 認定済みの完全に構成可能なデュアル・レール設計により、各ポートは 0.65V~3.6V の範囲の電源電圧で動作可能
  • 動作温度範囲:–55℃~+125℃
  • 複数の方向制御ピンにより、昇圧と降圧の変換を同時に実行
  • 1.8V から 3.3V への変換時に最高 380Mbps をサポート
  • 電源オフ時に 2 つのバスを実質的に絶縁する VCC 絶縁機能
  • 部分的パワーダウン・モードにより、電源オフ時に電流の逆流を制限
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 人体モデルで 8000V
    • デバイス帯電モデルで 1000V
  • VID V62/22604

  • 耐放射線特性:
    • 125℃において 43MeV-cm2/mg のシングル・イベント・ラッチアップ (SEL) 耐性
    • すべてのウェハー・ロットについて、20krad(Si) までの吸収線量 (TID) RLAT (Radiation Lot Acceptance Test)
  • 認定済みの完全に構成可能なデュアル・レール設計により、各ポートは 0.65V~3.6V の範囲の電源電圧で動作可能
  • 動作温度範囲:–55℃~+125℃
  • 複数の方向制御ピンにより、昇圧と降圧の変換を同時に実行
  • 1.8V から 3.3V への変換時に最高 380Mbps をサポート
  • 電源オフ時に 2 つのバスを実質的に絶縁する VCC 絶縁機能
  • 部分的パワーダウン・モードにより、電源オフ時に電流の逆流を制限
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を上回る ESD 保護
    • 人体モデルで 8000V
    • デバイス帯電モデルで 1000V

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、8 ビットの非反転バス・トランシーバで、最新の電圧ノード (0.7V、0.8V、0.9V) で動作しているデバイスと、業界標準の電圧ノード (1.8V、2.5V、3.3V) で動作しているデバイスとの間で、電圧レベル不一致の問題を双方向に解決できます。

このデバイスは、2 つの独立した電源レール (VCCA および VCCB) を使用し、最低 0.65V で動作します。データ・ピン A1 から A8 までは VCCA に追従するように設計されており、0.65V~3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。データ・ピン B1 から B8 までは VCCB に追従するように設計されており、0.65V~3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。

SN54SLC8T245-SEP は、データ・バス間の非同期通信用に設計されています。このデバイスは、方向制御入力 (DIR1 および DIR2) のロジック・レベルに応じて、A バスから B バスへ、または B バスから A バスへデータを転送します。出力イネーブル (OE) 入力を使用すると、出力をディスエーブルにして、バスを実質的に絶縁できます。

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、制御ピン (DIR および OE) が VCCA を基準とするよう設計されています。

このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。Ioff 回路は、デバイスの電源がオフになったとき、出力をディセーブルにします。これによってデバイスへの電流の逆流を阻止し、デバイスを損傷から保護します。

VCC 絶縁機能により、いずれかの VCC 入力電圧が 100mV 未満になると、すべてのレベル シフタ出力がディセーブルされ、高インピーダンス状態になるように設計されています。

電源投入または電源オフの間にレベル シフタ I/O を高インピーダンス状態にするには、OE をプルアップ抵抗を介して VCC に接続します。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決まります。

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、8 ビットの非反転バス・トランシーバで、最新の電圧ノード (0.7V、0.8V、0.9V) で動作しているデバイスと、業界標準の電圧ノード (1.8V、2.5V、3.3V) で動作しているデバイスとの間で、電圧レベル不一致の問題を双方向に解決できます。

このデバイスは、2 つの独立した電源レール (VCCA および VCCB) を使用し、最低 0.65V で動作します。データ・ピン A1 から A8 までは VCCA に追従するように設計されており、0.65V~3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。データ・ピン B1 から B8 までは VCCB に追従するように設計されており、0.65V~3.6V の任意の電源電圧を受け付けます。

SN54SLC8T245-SEP は、データ・バス間の非同期通信用に設計されています。このデバイスは、方向制御入力 (DIR1 および DIR2) のロジック・レベルに応じて、A バスから B バスへ、または B バスから A バスへデータを転送します。出力イネーブル (OE) 入力を使用すると、出力をディスエーブルにして、バスを実質的に絶縁できます。

SN54SLC8T245-SEP デバイスは、制御ピン (DIR および OE) が VCCA を基準とするよう設計されています。

このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。Ioff 回路は、デバイスの電源がオフになったとき、出力をディセーブルにします。これによってデバイスへの電流の逆流を阻止し、デバイスを損傷から保護します。

VCC 絶縁機能により、いずれかの VCC 入力電圧が 100mV 未満になると、すべてのレベル シフタ出力がディセーブルされ、高インピーダンス状態になるように設計されています。

電源投入または電源オフの間にレベル シフタ I/O を高インピーダンス状態にするには、OE をプルアップ抵抗を介して VCC に接続します。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決まります。

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技術資料

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* データシート SN54SLC8T245-SEP 8 ビット、デュアル電源バス・トランシーバ、構成可能な電圧変換およびトライステート出力搭載 データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.B) PDF | HTML 2023年 12月 13日
* 放射線と信頼性レポート SN54SLC8T245-SEP Production Flow and Reliability Report PDF | HTML 2022年 10月 20日
* 放射線と信頼性レポート SN54SLC8T245-SEP Single Event Effects Report PDF | HTML 2022年 10月 12日
* 放射線と信頼性レポート SN54SLC8T245-SEP Total Ionizing Dose (TID) PDF | HTML 2022年 10月 3日
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設計および開発

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シミュレーション・モデル

SN54SLC8T245-SEP IBIS Model (Rev. B)

SCEM795B.ZIP (82 KB) - IBIS Model
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
TSSOP (PW) 24 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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