パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 TSSOP (DGG) | 56 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 85 |
| パッケージ数量 | キャリア 2,000 | LARGE T&R |
SN74CB3Q16211 の特徴
- テキサス・インスツルメンツの Widebus+ ファミリ製品
- 高帯域幅のデータ・パス (最大 500MHz（1）)
- デバイスの電源オン時とオフ時の両方で 5V 許容の I/O
- 動作範囲全体にわたって小さく平坦なオン抵抗 (ron) 特性 (ron = 5Ω、標準値)
- データ I/O ポートのレール・ツー・レール・スイッチング
- 3.3V VCCで 0～5V のスイッチング
- 2.5V VCCで 0～3.3V のスイッチング
- 伝播遅延がゼロに近い双方向データ・フロー
- 低い入力および出力容量により負荷および信号歪みが最小化 (Cio(OFF) = 4pF、標準値)
- 高いスイッチング周波数 (f OE = 20MHz、最大値)
- データおよび制御入力にアンダーシュート・クランプ・ダイオードを搭載
- 低消費電力 (ICC = 1mA、標準値)
- 2.3V～3.6V の範囲の VCC で動作
- データ I/O は 0～5V の信号レベルに対応 (0.8V、1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V)
- 制御入力を TTL または 5V/3.3V CMOS 出力で駆動可能
- Ioff により部分的パワーダウン・モードでの動作をサポート
- JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
- JESD 22 準拠で ESD 性能をテスト済み
- 2000V、人体モデル (A114-B、Class II)
- 1000V、荷電デバイス・モデル (C101)
- デジタルとアナログの両方のアプリケーションに対応：PCI インターフェイス、差動信号インターフェイス、メモリ・インターリーブ、バス絶縁、低歪み信号ゲーティング。(1)
(1)CB3Q ファミリの性能特性の詳細については、TI のアプリケーション・レポート『CBT-C、CB3T、および CB3Q シグナル・スイッチ・ファミリ』を参照してください。
SN74CB3Q16211 に関する概要
SN74CB3Q16211 デバイスは高帯域の FET バス・スイッチで、チャージ・ポンプを利用してパス・トランジスタのゲート電圧を上昇させ、低い平坦なオン抵抗 (ron) を実現します。オン抵抗が低く平坦であるため、伝搬遅延を最小限に抑えることができ、データ入出力 (I/O) ポートでのレール・ツー・レール・スイッチングをサポートします。本デバイスはデータ I/O の静電容量が小さいため、データ・バスの容量性負荷と信号歪みも最小限に抑えることができます。高帯域幅アプリケーションに対応するために特別に設計された SN74CB3Q16211 デバイスは、ブロードバンド通信、ネットワーク、データ集約型コンピューティング・システムに理想的な、最適化されたインターフェイス・ソリューションを提供します。
SN74CB3Q16211 デバイスは、独立した出力イネーブル (1OE、2OE) 入力を備えた 2 つの 12 ビット・バス・スイッチで構成されています。このデバイスは、2 つの 12 ビット・バス・スイッチまたは 1 つの 24 ビット・バス・スイッチとして使用できます。OE が LOW のとき、関連付けられている 12 ビット・バス・スイッチはオンで、A ポートは B ポートに接続され、ポート間で双方向のデータ・フローが可能になります。OE を HIGH にすると、関連する 12 ビット・バス・スイッチはオフになり、A と B のポート間は高インピーダンス状態になります。
このデバイスは、Ioff を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。電源切断時にデバイスに電流が逆流することによる損傷を Ioff 回路が防止します。
電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OE はプルアップ抵抗経由で VCC に接続されます。この抵抗の最小値は、ドライバの電流シンク能力によって決定されます。