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SN74CBTU4411

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高い安定性、DDR-II アプリケーション向け、2.5V、4:1、11 チャネル・アナログ・マルチプレクサ

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製品詳細

Protocols DDR2 Configuration 4:1 Number of channels 11 Bandwidth (MHz) 400 Supply voltage (max) (V) 1.9 Supply voltage (min) (V) 1.7 Ron (typ) (mΩ) 10000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 1.9 Supply current (typ) (µA) 700 ESD HBM (typ) (kV) 2.5 Operating temperature range (°C) 0 to 85 ESD CDM (kV) 0.75 Input/output continuous current (max) (mA) 100 COFF (typ) (pF) 2.5 CON (typ) (pF) 4.6 OFF-state leakage current (max) (µA) 10 Propagation delay time (µs) 0.000297 Ron (max) (mΩ) 17000 RON flatness (typ) (Ω) 1.5 Turnoff time (disable) (max) (ns) 2.1 Turnon time (enable) (max) (ns) 2.1 VIH (min) (V) 1.1 VIL (max) (V) 0.66
Protocols DDR2 Configuration 4:1 Number of channels 11 Bandwidth (MHz) 400 Supply voltage (max) (V) 1.9 Supply voltage (min) (V) 1.7 Ron (typ) (mΩ) 10000 Input/output voltage (min) (V) 0 Input/output voltage (max) (V) 1.9 Supply current (typ) (µA) 700 ESD HBM (typ) (kV) 2.5 Operating temperature range (°C) 0 to 85 ESD CDM (kV) 0.75 Input/output continuous current (max) (mA) 100 COFF (typ) (pF) 2.5 CON (typ) (pF) 4.6 OFF-state leakage current (max) (µA) 10 Propagation delay time (µs) 0.000297 Ron (max) (mΩ) 17000 RON flatness (typ) (Ω) 1.5 Turnoff time (disable) (max) (ns) 2.1 Turnon time (enable) (max) (ns) 2.1 VIH (min) (V) 1.1 VIL (max) (V) 0.66
NFBGA (ZST) 72 49 mm² 7 x 7
  • SSTL_18 信号レベルをサポート
  • DDR-II アプリケーションに最適
  • バイアス電圧 (VBIAS) により D ポート出力をプリチャージ
  • 制御入力を内部で終端
  • 広帯域 (最小 400MHz)
  • 低く平坦なオン抵抗 (ron) 特性 (ron＝最大 17Ω)
  • 400Ω プルダウン抵抗を内蔵
  • 差動および立ち上がり/立ち下がりエッジ・スキューが小さい
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • SSTL_18 信号レベルをサポート
  • DDR-II アプリケーションに最適
  • バイアス電圧 (VBIAS) により D ポート出力をプリチャージ
  • 制御入力を内部で終端
  • 広帯域 (最小 400MHz)
  • 低く平坦なオン抵抗 (ron) 特性 (ron＝最大 17Ω)
  • 400Ω プルダウン抵抗を内蔵
  • 差動および立ち上がり/立ち下がりエッジ・スキューが小さい
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能

SN74CBTU4411 は、広帯域、SSTL_18 準拠、オン抵抗 (ron) の低い FET マルチプレクサ / デマルチプレクサです。内蔵されたチャージ・ポンプを使用してパス・トランジスタのゲート電圧を上げることにより、低く平坦な ron を実現します。Ron が低く平坦であるため、伝搬遅延を最小限に抑えることができ、データ入出力 (I/O) ポートでのレール・ツー・レール信号処理をサポートします。また、データ I/O 容量が非常に小さいことから、容量性負荷およびデータバスでの信号歪みも最小限に抑えることができます。オン抵抗および I/O 容量のマッチングにより、差動および立ち上がり / 立ち下がりエッジのスキューは極めて小さくなります。このため、このデバイスは DDR-II アプリケーションで優れた性能を発揮します。

SN74CBTU4411 は、広帯域、SSTL_18 準拠、オン抵抗 (ron) の低い FET マルチプレクサ / デマルチプレクサです。内蔵されたチャージ・ポンプを使用してパス・トランジスタのゲート電圧を上げることにより、低く平坦な ron を実現します。Ron が低く平坦であるため、伝搬遅延を最小限に抑えることができ、データ入出力 (I/O) ポートでのレール・ツー・レール信号処理をサポートします。また、データ I/O 容量が非常に小さいことから、容量性負荷およびデータバスでの信号歪みも最小限に抑えることができます。オン抵抗および I/O 容量のマッチングにより、差動および立ち上がり / 立ち下がりエッジのスキューは極めて小さくなります。このため、このデバイスは DDR-II アプリケーションで優れた性能を発揮します。
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技術資料

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* データシート SN74CBTU4411 11 ビット 1:4 マルチプレクサ / デマルチプレクサ1.8V DDR-II スイッチ、チャージ・ポンプ / プリチャージ出力付き データシート (Rev. C 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2021年 10月 26日
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設計および開発

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シミュレーション・モデル

HSPICE Model for SN74CBTU4411

SCDJ034.ZIP (101 KB) - HSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

SN74CBTU4411 IBIS Model

SCDM101.ZIP (75 KB) - IBIS Model
ダウンロード
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
NFBGA (ZST) 72 Ultra Librarian
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購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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