ミリタリー グレード、デュアル、30V、3MHz、高スルーレート (13V/μs)、入力電圧から V+ までの電圧範囲に対応する JFET 入力オペアンプ

この製品には新バージョンがあります。

open-in-new 代替品と比較
これまでにご購入されたお客様をサポートする目的でこの製品を引き続き生産しています。新規設計では代替品をご検討ください。
比較対象デバイスのアップグレード版機能を搭載した、ドロップイン代替製品
LM124AQML アクティブ ミリタリー グレード、-55℃ ~ 125℃ で動作、クワッド、32V、1MHz、オフセット電圧が 3mV のオペアンプ Wider supply range (3 V to 32 V), and higher slew rate (1V/µs)
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品
LM158A アクティブ ミリタリー グレード、デュアル、30V、700kHz、オフセット電圧が 3mV のオペアンプ Wider supply range (3 V to 32 V), lower offset voltage (2 mV), lower power (0.35 mA)
比較対象デバイスと同等の機能で、ピン配置が異なる製品
LM124M アクティブ ミリタリー グレード、-55℃ ~ 125℃ で動作、クワッド、30V、1.2MHz オペアンプ High GBW (1.2 MHz), low power (0.175 mA), low noise (35 nV/√Hz), high output current (40 mA)

製品詳細

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 30 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 3 Slew rate (typ) (V/µs) 13 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 6 Iq per channel (typ) (mA) 1.4 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 18 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 18 Features Standard Amps Input bias current (max) (pA) 200 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.5
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 30 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 7 Rail-to-rail In to V+ GBW (typ) (MHz) 3 Slew rate (typ) (V/µs) 13 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 6 Iq per channel (typ) (mA) 1.4 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 18 Rating Military Operating temperature range (°C) -55 to 125 Offset drift (typ) (µV/°C) 18 Features Standard Amps Input bias current (max) (pA) 200 CMRR (typ) (dB) 100 Iout (typ) (A) 0.01 Architecture FET Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 1.5 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -1.5
  • 高いスルーレート:20V/µs (TL07xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧:1mV (TL07xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧ドリフト:2µV/℃
  • 低い消費電力:940µA/ch (TL07xH、代表値)
  • 広い同相範囲と差動 電圧範囲
    • 同相入力電圧範囲に V CC+ を含む
  • 低い入力バイアスとオフセット電流
  • 低いノイズ: f = 1kHz で V n = 18nV/√ Hz (代表値)
  • 出力短絡保護
  • 低い全高調波歪み:0.003% (代表値)
  • 広い電源電圧範囲: ±2.25V~±20V、4.5V~40V
  • 高いスルーレート:20V/µs (TL07xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧:1mV (TL07xH、代表値)
  • 低いオフセット電圧ドリフト:2µV/℃
  • 低い消費電力:940µA/ch (TL07xH、代表値)
  • 広い同相範囲と差動 電圧範囲
    • 同相入力電圧範囲に V CC+ を含む
  • 低い入力バイアスとオフセット電流
  • 低いノイズ: f = 1kHz で V n = 18nV/√ Hz (代表値)
  • 出力短絡保護
  • 低い全高調波歪み:0.003% (代表値)
  • 広い電源電圧範囲: ±2.25V~±20V、4.5V~40V

TL07xH (TL071H、TL072H、TL074H) ファミリのデバイスは、業界標準の TL07x (TL071、TL072、TL074) デバイスの次世代バージョンです。これらのデバイスは、低オフセット (1mV、代表値)、高スルーレート (20V/µs)、正電源への同相入力などの特長を備え、コスト重視のアプリケーション向けに最適です。高 ESD (1.5kV、HBM)、EMI および RF フィルタの内蔵、-40℃~125℃の温度範囲での動作により、TL07xH デバイスは最も過酷で要求の厳しいアプリケーションで使用できます。

TL07xH (TL071H、TL072H、TL074H) ファミリのデバイスは、業界標準の TL07x (TL071、TL072、TL074) デバイスの次世代バージョンです。これらのデバイスは、低オフセット (1mV、代表値)、高スルーレート (20V/µs)、正電源への同相入力などの特長を備え、コスト重視のアプリケーション向けに最適です。高 ESD (1.5kV、HBM)、EMI および RF フィルタの内蔵、-40℃~125℃の温度範囲での動作により、TL07xH デバイスは最も過酷で要求の厳しいアプリケーションで使用できます。

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技術資料

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* データシート TL07xx 低ノイズ、FET 入力オペアンプ データシート (Rev. V 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.V) PDF | HTML 2023年 5月 24日

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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