TRF37B73

アクティブ

パワー ダウン ピン採用、1 ~ 6,000MHz、15dB RF ゲイン ブロック アンプ

製品詳細

Current consumption (mA) 52 Frequency (min) (MHz) 1 Frequency (max) (MHz) 6000 Gain (typ) (dB) 15 Impedance match (Ω) 50 Noise figure (typ) (dB) 4 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Output enable Yes OIP3 (typ) (dBm) 29 P1dB (typ) (dBm) 15 Type RF Gain Block Rating Catalog Power-down current Yes
Current consumption (mA) 52 Frequency (min) (MHz) 1 Frequency (max) (MHz) 6000 Gain (typ) (dB) 15 Impedance match (Ω) 50 Noise figure (typ) (dB) 4 Number of channels 1 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Output enable Yes OIP3 (typ) (dBm) 29 P1dB (typ) (dBm) 15 Type RF Gain Block Rating Catalog Power-down current Yes
WSON (DSG) 8 4 mm² 2 x 2
  • 1 MHz – 6000 MHz
  • Gain: 14.5 dB
  • Noise Figure: 4 dB
  • Output P1dB: 15 dBm at 2000 MHz
  • Output IP3: 27 dBm at 2000 MHz
  • Power Down Mode
  • Single Supply: 3.3 V
  • Stabilized Performance Over Temperature
  • Unconditionally Stable
  • Robust ESD: >1 kV HBM; >1 kV CDM
  • 1 MHz – 6000 MHz
  • Gain: 14.5 dB
  • Noise Figure: 4 dB
  • Output P1dB: 15 dBm at 2000 MHz
  • Output IP3: 27 dBm at 2000 MHz
  • Power Down Mode
  • Single Supply: 3.3 V
  • Stabilized Performance Over Temperature
  • Unconditionally Stable
  • Robust ESD: >1 kV HBM; >1 kV CDM

The TRF37B73 is packaged in a 2.00mm × 2.00mm WSON with a power down pin feature making it ideal for applications where space and low power modes are critical.

The TRF37B73 is designed for ease of use. For maximum flexibility, this family of parts uses a common 3.3 V supply and consumes 52 mA. In addition, this family was designed with an active bias circuit that provides a stable and predictable bias current over process, temperature and voltage variations. For gain and linearity budgets the device was designed to provide a flat gain response and excellent OIP3 out to 6000 MHz. For space constrained applications, this family is internally matched to 50 Ω, which simplifies ease of use and minimizes needed PCB area.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the datasheet.

The TRF37B73 is packaged in a 2.00mm × 2.00mm WSON with a power down pin feature making it ideal for applications where space and low power modes are critical.

The TRF37B73 is designed for ease of use. For maximum flexibility, this family of parts uses a common 3.3 V supply and consumes 52 mA. In addition, this family was designed with an active bias circuit that provides a stable and predictable bias current over process, temperature and voltage variations. For gain and linearity budgets the device was designed to provide a flat gain response and excellent OIP3 out to 6000 MHz. For space constrained applications, this family is internally matched to 50 Ω, which simplifies ease of use and minimizes needed PCB area.

For all available packages, see the orderable addendum at the end of the datasheet.

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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート TRF37B73 1-6000 MHz RF Gain Block データシート PDF | HTML 2014年 5月 29日
ユーザー・ガイド TRF37x73 and TRF37x75 EVM User’s Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021年 5月 4日
ユーザー・ガイド TRF37x73 and TRF37x75 EVM User’s Guide 2014年 3月 26日

設計および開発

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評価ボード

TRF37B73EVM — TRF37B73 評価モジュール

The TRF37X73EVM evaluation module is intended for the evaluation of the TRF37x73 RF gain blocks.  The gain blocks come in multiple gain versions.  See each respective product datasheet to be sure you are ordering the correct gain block for the gain and frequency of intended operation.

ユーザー ガイド: PDF | HTML
シミュレーション・モデル

TRF37B73 ADS2014 Model

SLAJ005.ZIP (49 KB) - Spice Model
シミュレーション・モデル

TRF37B73 S-Parameter Model

SLAM236.ZIP (43 KB) - S-Parameter Model
シミュレーション・モデル

TRF37B73 TINA-TI Reference Design

SLAM258.TSC (287 KB) - TINA-TI Reference Design
シミュレーション・モデル

TRF37B73 TINA-TI Spice Model

SLAM259.ZIP (3 KB) - TINA-TI Spice Model
CAD/CAE シンボル

Low Frequency S-Parameters, 1M - 200M 4.7uH

SLAR109.ZIP (28 KB)
CAD/CAE シンボル

Low Frequency S-Parameters, 1M - 400M 680nH

SLAR110.ZIP (55 KB)
リファレンス・デザイン

TIDA-00347 — Low Frequency RF Amplifier Reference Design

Wideband RF amplifiers require external coupling capacitors and an RF choke to supply bias to the output transistor collector.  As the frequency of operation is reduced, the choice of these components must be modified to maintain proper gain and linearity in the device.  This design (...)
設計ガイド: PDF
回路図: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
WSON (DSG) 8 Ultra Librarian

購入と品質

記載されている情報:
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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