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TXB0102

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2 ビット、双方向、電圧レベル・シフタ、自動方向検出機能および±15 kV ESD 保護付き

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TXB0102

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製品詳細

Technology family TXB Applications GPIO, SPI, UART Bits (#) 2 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 0.78 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) -0.02 IOL (max) (mA) 0.02 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Technology family TXB Applications GPIO, SPI, UART Bits (#) 2 Data rate (max) (Mbps) 100 High input voltage (min) (V) 0.78 High input voltage (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 IOH (max) (mA) -0.02 IOL (max) (mA) 0.02 Supply current (max) (µA) 8 Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Input type Standard CMOS Output type 3-State, CMOS, Push-Pull Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YZP) 8 2.8125 mm² 2.25 x 1.25 VSSOP (DCU) 8 6.2 mm² 2 x 3.1
  • テキサス・インスツルメンツの NanoFree™ パッケージで供給
  • 1.2V～3.6V (A ポート)、1.65V～5.5V (B ポート) (V CCA ≤ V CCB)
  • V CC 絶縁機能：どちらかの V CC 入力が GND レベルになると、すべての出力が高インピーダンス状態になる
  • V CCA を基準とする出力イネーブル (OE) 入力回路
  • 低消費電力、最大 I CC 4µA
  • I off により部分的パワーダウン・モード動作をサポート
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を超える ESD 保護
    • A ポート
      • 2500V、人体モデル (A114-B)
      • 200V、マシン・モデル (A115-A)
      • 1500V、デバイス帯電モデル (C101)
    • B ポート
      • 15kV、人体モデル (A114-B)
      • 200V、マシン・モデル (A115-A)
      • 1500V、デバイス帯電モデル (C101)
  • テキサス・インスツルメンツの NanoFree™ パッケージで供給
  • 1.2V～3.6V (A ポート)、1.65V～5.5V (B ポート) (V CCA ≤ V CCB)
  • V CC 絶縁機能：どちらかの V CC 入力が GND レベルになると、すべての出力が高インピーダンス状態になる
  • V CCA を基準とする出力イネーブル (OE) 入力回路
  • 低消費電力、最大 I CC 4µA
  • I off により部分的パワーダウン・モード動作をサポート
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を超える ESD 保護
    • A ポート
      • 2500V、人体モデル (A114-B)
      • 200V、マシン・モデル (A115-A)
      • 1500V、デバイス帯電モデル (C101)
    • B ポート
      • 15kV、人体モデル (A114-B)
      • 200V、マシン・モデル (A115-A)
      • 1500V、デバイス帯電モデル (C101)

TXB0102 は、設定可能な 2 本の独立した電源レールを採用した 2 ビット非反転トランスレータです。A ポートは V CCA に追従するように設計されています。V CCA には 1.2V～3.6V の電源電圧を供給できます。B ポートは V CCB に追従するように設計されています。V CCB には 1.65V～5.5V の電源電圧を供給できます。このため 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間で、低電圧の双方向変換を自在に行うことが可能になります。V CCA が V CCB を上回ることはできません。

出力イネーブル (OE) 入力が Low のとき、全出力が高インピーダンス状態になります。

このデバイスは、I off を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。I off 回路は、デバイスの電源がオフになったとき、出力をディセーブルにします。これによってデバイスへの電流の逆流を阻止し、デバイスを損傷から保護します。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OE をプルダウン抵抗経由で GND に接続する必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。

ダイをパッケージとして使用する NanoFree™ 技術は、IC パッケージの概念を大きく覆すものです。

TXB0102 は、設定可能な 2 本の独立した電源レールを採用した 2 ビット非反転トランスレータです。A ポートは V CCA に追従するように設計されています。V CCA には 1.2V～3.6V の電源電圧を供給できます。B ポートは V CCB に追従するように設計されています。V CCB には 1.65V～5.5V の電源電圧を供給できます。このため 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間で、低電圧の双方向変換を自在に行うことが可能になります。V CCA が V CCB を上回ることはできません。

出力イネーブル (OE) 入力が Low のとき、全出力が高インピーダンス状態になります。

このデバイスは、I off を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。I off 回路は、デバイスの電源がオフになったとき、出力をディセーブルにします。これによってデバイスへの電流の逆流を阻止し、デバイスを損傷から保護します。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OE をプルダウン抵抗経由で GND に接続する必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。

ダイをパッケージとして使用する NanoFree™ 技術は、IC パッケージの概念を大きく覆すものです。
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技術資料

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設計および開発

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シミュレーション・モデル

TXB0102 IBIS Model (Rev. A)

SCEM563A.ZIP (71 KB) - IBIS Model
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
DSBGA (YZP) 8 Ultra Librarian
VSSOP (DCU) 8 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

サポートとトレーニング

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