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UCC21737-Q1

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車載、SiC/IGBT 向け、短絡のアクティブ保護機能搭載、10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ

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UCC21737-Q1

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 下記の内容で AEC-Q100 認定済み：
    • デバイス温度グレード 0：-40℃～+150℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全品質管理
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 高速過電流保護、270ns の応答時間
  • 外部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 900mA ソフト・ターンオフ
  • システム・フォルト時にパワー・スイッチをオンにするための絶縁側 ASC 入力
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディスエーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO と -3V VEE UVLO (RDY のパワー・グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス / 部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：-40℃～150℃
  • 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 下記の内容で AEC-Q100 認定済み：
    • デバイス温度グレード 0：-40℃～+150℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全品質管理
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 高速過電流保護、270ns の応答時間
  • 外部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 900mA ソフト・ターンオフ
  • システム・フォルト時にパワー・スイッチをオンにするための絶縁側 ASC 入力
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディスエーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO と -3V VEE UVLO (RDY のパワー・グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス / 部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：-40℃～150℃

UCC21737-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 本デバイスは最大 ±10A のピーク・ソース / シ ンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21737-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。ASC 機能を使用してシステム障害発生時にパワー・スイッチを強制的にオンにできるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システム設計、サイズ、コストを簡素化できます。

UCC21737-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 本デバイスは最大 ±10A のピーク・ソース / シ ンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21737-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。ASC 機能を使用してシステム障害発生時にパワー・スイッチを強制的にオンにできるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システム設計、サイズ、コストを簡素化できます。
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技術資料

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種類 タイトル 最新の英語版をダウンロード 日付
* データシート UCC21737-Q1 車載用、アクティブ保護機能搭載、高 CMTI、10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け、強化絶縁シングル・チャネル・ゲート・ドライバ データシート (Rev. B 翻訳版) PDF | HTML 最新英語版 (Rev.C) PDF | HTML 2023年 2月 9日
証明書 UCC217xx/-Q1 CQC Certificate of Product Certification 2023年 6月 7日

設計および開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC21732QDWEVM-025 — UCC21732-Q1 車載シングルチャネル絶縁型 SiC/IGBT ゲート・ドライバの評価モジュール

The UCC21732QDWEVM-025 is a compact, single channel isolated gate driver board providing drive, bias voltages, protection and diagnostic needed for SiC MOSFET and Si IGBT Power Modules housed in 150 x 62 x 17 mm and 106 x 62 x 30 mm packages. This TI EVM is based on 5.7-kVrms reinforced isolation (...)

ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル・ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
リクエスト
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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