UCC27712
- ハイサイドおよびローサイド構成
- 出力インターロックおよび150nsのデッドタイムを備えたデュアル入力
- 最大620Vまで完全動作、HBピンの絶対最大定格700V
- VDD推奨範囲: 10V~20V
- ピーク出力電流: シンク2.8A、ソース1.8A
- dv/dt耐性: 50V/ns
- HSピンで-11Vまでロジック動作
- 入力における負の電圧許容範囲: -5V
- 大きな負の過渡安全動作領域
- 両方のチャネルでのUVLO保護
- 短い伝搬遅延(標準値100ns)
- 遅延マッチング(標準値12ns)
- ブートストラップ動作用に設計されたフローティング・チャネル
- 低い静止電流
- TTLおよびCMOS互換の入力
- 業界標準のSOIC-8パッケージ
- すべてのパラメータは-40℃~+125℃の温度範囲で規定
UCC27712は620Vのハイサイドおよびローサイド・ゲート・ドライバで、ソース1.8A、シンク2.8Aの電流能力を持ち、パワーMOSFETやIGBTを駆動するよう設計されています。
推奨VDD動作電圧は、IGBTでは10V~20V、パワーMOSFETでは10V~17Vです。
UCC27712には保護機能が組み込まれており、入力がオープンの状態、または最小入力パルス幅の仕様が満たされていない場合、出力はLOWに保持されます。インターロックおよびデッドタイム機能により、両方の出力が同時にオンになることが防止されます。さらに、このデバイスはの広い範囲のバイアス電源電圧を受け付け、VDDおよびHBの両方のバイアス電源についてUVLO保護を行います。
このデバイスは、TIの最先端の高耐圧デバイス・テクノロジで開発され、堅牢な駆動能力、非常に優れたノイズおよび過渡耐性が特長です。これには、入力における大きな負の電圧の許容、高いdV/dt許容、スイッチ・ノード(HS)における広い負の過渡安全動作領域(NTSOA)、インターロックが含まれます。
このデバイスは、1つのグランド基準チャネル(LO)と1つのフローティング・チャネル(HO)で構成され、ブートストラップまたは絶縁電源で動作するよう設計されています。このデバイスは、伝搬遅延が短く、両方のチャネル間で遅延マッチングが非常に優れています。UCC27712で、各チャネルはそれぞれHIおよびLI入力ピンによりコントロールされます。
技術資料
設計および開発
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UCC27712EVM-287 — UCC27712 インターロック付き 620V、1.8A、2.8A ハイサイド / ローサイド・ゲート・ドライバの評価モジュール
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パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
SOIC (D) | 8 | Ultra Librarian |
購入と品質
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。