제품 상세 정보

Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
Rating Catalog Integrated isolated power No Isolation rating Functional Number of channels 2 Forward/reverse channels 1 forward / 1 reverse Default output High, Low Data rate (max) (Mbps) 50 CMTI (min) (V/µs) 100000 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (min) (V) 1.71 Propagation delay time (typ) (µs) 0.011 Current consumption per channel (1 Mbps) (typ) (mA) 1.8 Creepage (min) (mm) 2.2 Clearance (min) (mm) 2.2
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 VSON (REU) 8 6 mm² 3 x 2
  • Dual channel, CMOS output functional isolators
  • 50Mbps data rate
  • Robust SiO2 isolation barrier with ±150kV/µs typical CMTI
  • Functional Isolation (8-REU):
    • 200VRMS, 280VDC working voltage
    • 570VRMS, 800VDC transient voltage (60s)
  • Functional Isolation (8-D):
    • 450VRMS, 637VDC working voltage
    • 707VRMS, 1000VDC transient voltage (60s)
  • Available in a compact 8-REU package with >2.2mm creepage
  • Wide supply range: 1.71V to 1.89V and 2.25V to 5.5V
  • 1.71V to 5.5V level translation
  • Default output High (ISO652x) and Low (ISO652xF) Options
  • Wide temperature range: –40°C to 125°C
  • 1.8mA per channel typical at 1Mbps at 3.3V
  • Low propagation delay: 11ns typical at 3.3V
  • Robust electromagnetic compatibility (EMC)
    • System-Level ESD, EFT, and surge immunity
    • Ultra-low emissions
  • Leadless-DFN (8-REU) package and Narrow-SOIC (8-D) package options
  • Dual channel, CMOS output functional isolators
  • 50Mbps data rate
  • Robust SiO2 isolation barrier with ±150kV/µs typical CMTI
  • Functional Isolation (8-REU):
    • 200VRMS, 280VDC working voltage
    • 570VRMS, 800VDC transient voltage (60s)
  • Functional Isolation (8-D):
    • 450VRMS, 637VDC working voltage
    • 707VRMS, 1000VDC transient voltage (60s)
  • Available in a compact 8-REU package with >2.2mm creepage
  • Wide supply range: 1.71V to 1.89V and 2.25V to 5.5V
  • 1.71V to 5.5V level translation
  • Default output High (ISO652x) and Low (ISO652xF) Options
  • Wide temperature range: –40°C to 125°C
  • 1.8mA per channel typical at 1Mbps at 3.3V
  • Low propagation delay: 11ns typical at 3.3V
  • Robust electromagnetic compatibility (EMC)
    • System-Level ESD, EFT, and surge immunity
    • Ultra-low emissions
  • Leadless-DFN (8-REU) package and Narrow-SOIC (8-D) package options

The ISO652x devices are high-performance, dual-channel functional isolators designed for cost sensitive, space constrained applications that require isolation for non-safety applications. The isolation barrier supports a working voltage of 200VRMS / 280VDC and transient over voltages of 570VRMS / 800VDC.

The devices provide high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os. Each isolation channel has a logic input and output buffer separated by TI’s double capacitive silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. ISO6520 has two isolation channels with both channels in the same direction. ISO6521 has two isolation channels with one channel in each direction. In the event of input power or signal loss, the default output is high for devices without suffix F and low for devices with suffix F. See Device Functional Modes section for further details.

These devices help prevent noise currents on data buses, such as UART, SPI, RS-485, RS-232, and CAN from damaging sensitive circuitry. Through chip design and layout techniques, the electromagnetic compatibility of the devices have been significantly enhanced to ease system-level ESD and emissions compliance.

The ISO652x devices are high-performance, dual-channel functional isolators designed for cost sensitive, space constrained applications that require isolation for non-safety applications. The isolation barrier supports a working voltage of 200VRMS / 280VDC and transient over voltages of 570VRMS / 800VDC.

The devices provide high electromagnetic immunity and low emissions at low power consumption, while isolating CMOS or LVCMOS digital I/Os. Each isolation channel has a logic input and output buffer separated by TI’s double capacitive silicon dioxide (SiO2) insulation barrier. ISO6520 has two isolation channels with both channels in the same direction. ISO6521 has two isolation channels with one channel in each direction. In the event of input power or signal loss, the default output is high for devices without suffix F and low for devices with suffix F. See Device Functional Modes section for further details.

These devices help prevent noise currents on data buses, such as UART, SPI, RS-485, RS-232, and CAN from damaging sensitive circuitry. Through chip design and layout techniques, the electromagnetic compatibility of the devices have been significantly enhanced to ease system-level ESD and emissions compliance.

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기술 자료

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5개 모두 보기
유형 직함 날짜
* Data sheet ISO652x General Purpose Dual-Channel Functional Isolators datasheet (Rev. B) PDF | HTML 2024/04/10
White paper Shrinking Solution Size and Cost With Functional Isolation PDF | HTML 2024/08/22
Product overview Isolating UART Signals (Rev. A) PDF | HTML 2024/06/18
Application brief Understanding Functional Isolation (Rev. A) PDF | HTML 2024/01/02
EVM User's guide ISO652x Dual-Channel Functional Isolators Evaluation Module PDF | HTML 2023/07/25

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

ISO6521REUEVM — 디지털 신호용 듀얼 채널 기능 아이솔레이터용 ISO6521 평가 모듈

ISO6521REUEVM은 8핀 DFN 패키지의 듀얼 채널 ISO6521 기능 아이솔레이터를 평가하는 데 사용되는 평가 모듈(EVM)입니다. EVM에는 다양한 일반 애플리케이션을 테스트하기 위해 구성 요소를 추가할 수 있는 유연성을 제공하는 추가 풋프린트가 있습니다. 또한 EVM은 최소한의 외부 부품으로 장치를 평가할 수 있도록 여러 테스트 포인트를 제공합니다.

사용 설명서: PDF | HTML
TI.com에서 구매 불가
시뮬레이션 모델

ISO6521 IBIS Model

SLLM505.ZIP (81 KB) - IBIS Model
레퍼런스 디자인

PMP23421 — 다중 위상 4스위치 벅 부스트 DC/DC 컨버터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 배터리 백업(BBU) 애플리케이션에 사용되는 디지털 방식으로 제어되는 GaN(질화 갈륨) 기반 4스위치 벅-부스트 DC/DC 컨버터입니다. 이 설계는 총 7단계로 구성됩니다. 6상은 배터리 방전 작업을 위해 병렬로 연결되어 최대 8.1kW의 방전 전력을 제공합니다. 일곱 번째 단계는 배터리 충전 작업에 사용됩니다. 컨버터는 VIN 및 VOUT 전압에 따라 벅, 벅-부스트 또는 부스트 모드에서 작동하며 각 모드 사이에서 원활하게 전환됩니다.
Test report: PDF
패키지 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (REU) 8 Ultra Librarian

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

콘텐츠는 TI 및 커뮤니티 기고자에 의해 "있는 그대로" 제공되며 TI의 사양으로 간주되지 않습니다. 사용 약관을 참조하십시오.

품질, 패키징, TI에서 주문하는 데 대한 질문이 있다면 TI 지원을 방문하세요. ​​​​​​​​​​​​​​

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