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LM5114

활성

4V UVLO 및 분할 출력을 지원하는 7.6A/1.3A 싱글 채널 게이트 드라이버

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UCC27611 활성 4V UVLO 및 5V 조정 출력을 지원하는 4A/6A 싱글 채널 게이트 드라이버 More recent driver with higher supply voltage capability, smaller package

LM5114

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제품 상세 정보

Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7.6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 12.6 Features Controllable Rise and Fall Times Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 3 Propagation delay time (µs) 0.012 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Low Side
Number of channels 1 Power switch GaNFET, MOSFET Peak output current (A) 7.6 Input supply voltage (min) (V) 4 Input supply voltage (max) (V) 12.6 Features Controllable Rise and Fall Times Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 3 Propagation delay time (µs) 0.012 Input threshold CMOS, TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Low Side
SOT-23 (DBV) 6 8.12 mm² 2.9 x 2.8 WSON (NGG) 6 9 mm² 3 x 3
  • Independent Source and Sink Outputs for
    Controllable Rise and Fall Times
  • 4-V to 12.6-V Single Power Supply
  • 7.6-A/1.3-A Peak Sink and Source Drive Current
  • 0.23-Ω Open-drain Pulldown Sink Output
  • 2-Ω Open-drain Pullup Source Output
  • 12-ns (Typical) Propagation Delay
  • Matching Delay Time Between Inverting and
    Noninverting Inputs
  • TTL/CMOS Logic Inputs
  • 0.68-V Input Hysteresis
  • Up to 14-V Logic Inputs (Regardless of VDD Voltage)
  • Low Input Capacitance: 2.5-pF (Typical)
  • –40°C to 125°C Operating Temperature Range
  • Pin-to-Pin Compatible With MAX5048
  • 6-Pin SOT-23
  • Independent Source and Sink Outputs for
    Controllable Rise and Fall Times
  • 4-V to 12.6-V Single Power Supply
  • 7.6-A/1.3-A Peak Sink and Source Drive Current
  • 0.23-Ω Open-drain Pulldown Sink Output
  • 2-Ω Open-drain Pullup Source Output
  • 12-ns (Typical) Propagation Delay
  • Matching Delay Time Between Inverting and
    Noninverting Inputs
  • TTL/CMOS Logic Inputs
  • 0.68-V Input Hysteresis
  • Up to 14-V Logic Inputs (Regardless of VDD Voltage)
  • Low Input Capacitance: 2.5-pF (Typical)
  • –40°C to 125°C Operating Temperature Range
  • Pin-to-Pin Compatible With MAX5048
  • 6-Pin SOT-23

The LM5114 is designed to drive low-side MOSFETs in boost-type configurations or to drive secondary synchronous MOSFETs in isolated topologies. With strong sink current capability, the LM5114 can drive multiple FETs in parallel. The LM5114 also has the features necessary to drive low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The LM5114 provides inverting and noninverting inputs to satisfy requirements for inverting and Noninverting gate drive in a single device type. The inputs of the LM5114 are TTL/CMOS Logic compatible and withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LM5114 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently. The LM5114 has fast switching speed and minimized propagation delays, facilitating high-frequency operation. The LM5114 is available in a 6-pin SOT-23 package and a 6-pin WSON package with an exposed pad to aid thermal dissipation.

The LM5114 is designed to drive low-side MOSFETs in boost-type configurations or to drive secondary synchronous MOSFETs in isolated topologies. With strong sink current capability, the LM5114 can drive multiple FETs in parallel. The LM5114 also has the features necessary to drive low-side enhancement mode Gallium Nitride (GaN) FETs. The LM5114 provides inverting and noninverting inputs to satisfy requirements for inverting and Noninverting gate drive in a single device type. The inputs of the LM5114 are TTL/CMOS Logic compatible and withstand input voltages up to 14 V regardless of the VDD voltage. The LM5114 has split gate outputs, providing flexibility to adjust the turnon and turnoff strength independently. The LM5114 has fast switching speed and minimized propagation delays, facilitating high-frequency operation. The LM5114 is available in a 6-pin SOT-23 package and a 6-pin WSON package with an exposed pad to aid thermal dissipation.
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White paper Advancing Power Supply Solutions Through the Promise of GaN 2015/02/24

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

LM5114BSDEVAL — LM5114 부스트 게이트 드라이버 평가 보드

LM5114는 7.6A/1.3A 피크 싱크/소스 드라이브 전류 기능을 지원하는 단일 저압측 게이트 드라이버입니다. 부스트 유형 구성에서 표준 Si MOSFET 또는 향상 모드 GaN FET를 구동하거나 절연 토폴로지에서 보조 동기 FET를 구동에 사용이 가능합니다. LM5114 평가 보드는 설계 엔지니어에게 LM5114를 평가하기 위해 완전한 기능을 갖춘 부스트 DC-DC 컨버터를 제공하도록 설계되었습니다. 100V 향상 모드 GaN FET(EPC2001)가 부스트 전원 스위치로 사용됩니다. 제어 회로는 100V 전류 모드 PWM (...)

사용 설명서: PDF
TI.com에서 구매할 수 없음
시뮬레이션 모델

LM5114A PSpice Transient Model

SNVM318.ZIP (33 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

LM5114A TINA-TI Transient Reference Design

SNVM368.TSC (87 KB) - TINA-TI Reference Design
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시뮬레이션 모델

LM5114A TINA-TI Transient Spice Model

SNVM367.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
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시뮬레이션 모델

LM5114A Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAD7.ZIP (1 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

LM5114B PSpice Transient Model

SNVM317.ZIP (30 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 모델

LM5114B TINA-TI Transient Reference Design

SNVM365.TSC (87 KB) - TINA-TI Reference Design
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시뮬레이션 모델

LM5114B TINA-TI Transient Spice Model

SNVM366.ZIP (9 KB) - TINA-TI Spice Model
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시뮬레이션 모델

LM5114B Unencrypted PSpice Transient Model

SNVMAD8.ZIP (1 KB) - PSpice Model
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시뮬레이션 툴

PSPICE-FOR-TI — TI 설계 및 시뮬레이션 툴용 PSpice®

TI용 PSpice®는 아날로그 회로의 기능을 평가하는 데 사용되는 설계 및 시뮬레이션 환경입니다. 완전한 기능을 갖춘 이 설계 및 시뮬레이션 제품군은 Cadence®의 아날로그 분석 엔진을 사용합니다. 무료로 제공되는 TI용 PSpice에는 아날로그 및 전력 포트폴리오뿐 아니라 아날로그 행동 모델에 이르기까지 업계에서 가장 방대한 모델 라이브러리 중 하나가 포함되어 있습니다.

TI 설계 및 시뮬레이션 환경용 PSpice는 기본 제공 라이브러리를 이용해 복잡한 혼합 신호 설계를 시뮬레이션할 수 있습니다. 레이아웃 및 제작에 착수하기 (...)
요청
레퍼런스 디자인

PMP22510 — 스위치드 커패시터 통합 벅(SCIB) 전원 컨버터 레퍼런스 설계

이 SCIB(스위치드 커패시터 통합 벅) 컨버터는 광범위한 40V~60V 입력 레일에서 작동하여 위상마다 최대 40A의 부하 전류까지 8.0V, 5.0V, 3.3V 또는 1.8V 레일을 생성하는 고전력, 고밀도 단일 출력 전원 컨버터에 사용하도록 고도로 최적화된 설계입니다. 이 레퍼런스 설계는 CSD95490Q5MC 및 CSD95379Q3M NexFET 전력계 MOSFET, UCC27212 드라이버 IC, 커패시터 및 인덕터를 23mm x 23mm 아웃라인 PCB 레이아웃에 통합하고, 다중 위상 벅 컨트롤러 TPS53667과 (...)
Test report: PDF
회로도: PDF
패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
SOT-23 (DBV) 6 Ultra Librarian
WSON (NGG) 6 Ultra Librarian
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.

지원 및 교육

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