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ONET2804TLP

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RSSI를 지원하는 28Gbps 저전력 4채널 제한 트랜스임피던스 증폭기

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제품 상세 정보

Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 28000 Supply current (typ) (µA) 30000 Supply current (max) (µA) 36000 Deterministic jitter (typ) (ps) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 100
Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 28000 Supply current (typ) (µA) 30000 Supply current (max) (µA) 36000 Deterministic jitter (typ) (ps) 2 Operating temperature range (°C) -40 to 100
DIESALE (Y) — See data sheet
  • 4-Channel Multi-Rate Operation: Up to 28 Gbps
  • Dissipation at a 3-V Supply: 90 mW per Channel
  • Differential Transimpedance: 7.5 kΩ
  • Bandwidth: 17.5 GHz
  • Input-Referred Noise: 2 µArms
  • Input Overload Current: 3.2 mAPP
  • Programmable Output Voltage
  • Adjustable Gain and Bandwidth
  • Received Signal Strength Indicator (RSSI) for Each Channel
  • Isolation Between Channels (Die Only): 40 dB
  • Single Supply: 2.8 V to 3.3 V
  • Pad Control or 2-Wire Control
  • On-Chip Filter Capacitors
  • –40°C to +100°C Operation
  • Die Size: 3250 µm × 1450 µm, 750-µm Channel Pitch
  • 4-Channel Multi-Rate Operation: Up to 28 Gbps
  • Dissipation at a 3-V Supply: 90 mW per Channel
  • Differential Transimpedance: 7.5 kΩ
  • Bandwidth: 17.5 GHz
  • Input-Referred Noise: 2 µArms
  • Input Overload Current: 3.2 mAPP
  • Programmable Output Voltage
  • Adjustable Gain and Bandwidth
  • Received Signal Strength Indicator (RSSI) for Each Channel
  • Isolation Between Channels (Die Only): 40 dB
  • Single Supply: 2.8 V to 3.3 V
  • Pad Control or 2-Wire Control
  • On-Chip Filter Capacitors
  • –40°C to +100°C Operation
  • Die Size: 3250 µm × 1450 µm, 750-µm Channel Pitch

The ONET2804TLP device is a high-gain, limiting transimpedance amplifier (TIA) for parallel optical interconnects with data rates up to 28 Gbps. The device is used in conjunction with a 750-µm pitch photodiode array to convert an optical signal into a differential output voltage. An internal circuit provides the photodiode reverse bias voltage and senses the average photocurrent supplied to each photodiode.

The device can be used with pin control or a two-wire serial interface to allow control of the output amplitude, gain, bandwidth, and input threshold.

The ONET2804TLP provides 17.5-GHz bandwidth, a gain of 7.5 kΩ, an input-referred noise of 2 µArms, and a received signal strength indicator (RSSI) for each channel. 40-dB isolation between channels results in low crosstalk penalty in the receiver.

The device requires a single 2.8-V to 3.3-V supply and typically dissipates 90 mW per channel with a differential output amplitude of 300 mVPP. The device is characterized for operation from –40°C to +100°C and is available in die form with a 750-µm channel pitch.

The ONET2804TLP device is a high-gain, limiting transimpedance amplifier (TIA) for parallel optical interconnects with data rates up to 28 Gbps. The device is used in conjunction with a 750-µm pitch photodiode array to convert an optical signal into a differential output voltage. An internal circuit provides the photodiode reverse bias voltage and senses the average photocurrent supplied to each photodiode.

The device can be used with pin control or a two-wire serial interface to allow control of the output amplitude, gain, bandwidth, and input threshold.

The ONET2804TLP provides 17.5-GHz bandwidth, a gain of 7.5 kΩ, an input-referred noise of 2 µArms, and a received signal strength indicator (RSSI) for each channel. 40-dB isolation between channels results in low crosstalk penalty in the receiver.

The device requires a single 2.8-V to 3.3-V supply and typically dissipates 90 mW per channel with a differential output amplitude of 300 mVPP. The device is characterized for operation from –40°C to +100°C and is available in die form with a 750-µm channel pitch.

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* Data sheet ONET2804TLP Low-Power, 28-Gbps, 4-Channel Limiting TIA datasheet PDF | HTML 2017/07/13

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패키지 핀 CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델
DIESALE (Y) —
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주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

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