TPD2E2U06
- IEC 61000-4-2 Level 4
- ±25 kV (Contact discharge)
- ±30 kV (Air-gap discharge)
- IEC 61000-4-5 Surge protection
- 5.5-A Peak pulse current (8/20 µs Pulse)
- IO Capacitance 1.5 pF (Typ)
- DC Breakdown voltage 6.5 V (Min)
- Ultra-Low leakage current 10 nA (Max)
- Low ESD clamping voltage
- Industrial temperature range: –40°C to +125°C
- Small easy-to-route DRL and DCK package
The TPD2E2U06 is a dual-channel low capacitance TVS diode ESD protection device. The device offers ±25-kV contact and ±30-kV air-gap ESD protection in accordance with the IEC 61000-4-2 standard. The 1.5-pF line capacitance of the TPD2E2U06 makes the device suitable for a wide range of applications. Typical application interfaces are USB 2.0, LVDS, and I2C™.
技術文件
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檢視所有 8 類型 | 標題 | 日期 | ||
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* | Data sheet | TPD2E2U06 Dual-Channel High-Speed ESD Protection Device datasheet (Rev. C) | PDF | HTML | 2019年 12月 3日 |
User guide | Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) | PDF | HTML | 2023年 9月 19日 | |
Product overview | Isolating I2C Signals (Rev. A) | PDF | HTML | 2023年 9月 1日 | |
Selection guide | System-Level ESD Protection Guide (Rev. D) | 2022年 9月 7日 | ||
Application note | ESD Packaging and Layout Guide (Rev. B) | PDF | HTML | 2022年 8月 18日 | |
Selection guide | ESD by Interface Selection Guide (Rev. A) | 2017年 6月 26日 | ||
White paper | Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments | 2016年 2月 10日 | ||
Analog Design Journal | Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection | 2012年 9月 25日 |
設計與開發
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開發板
ESDEVM — ESD 評估模組
靜電敏感裝置 (ESD) 評估模組 (EVM) 是我們大多數 ESD 產品組合的開發平台。此電路板配備所有傳統 ESD 元件封裝,可測試任意數量的裝置。裝置可以焊接到其相應的元件封裝上,然後進行測試。對於一般高速 ESD 二極體,會實作阻抗控制的配置以取得 S 參數並取消內嵌電路板軌跡。對於非高速 ESD 二極體,其元件封裝會包含連接至測試點的軌跡,讓您輕鬆執行 DC 測試,例如崩潰電壓、保持電壓、洩漏等。電路板配置也可以透過將訊號針腳短路到訊號所在的任何地方,讓任何裝置針腳都能輕鬆地連接到電源 (VCC) 或接地。
封裝 | 針腳 | CAD 符號、佔位空間與 3D 模型 |
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SOT-5X3 (DRL) | 5 | Ultra Librarian |
SOT-SC70 (DCK) | 3 | Ultra Librarian |
訂購與品質
內含資訊:
- RoHS
- REACH
- 產品標記
- 鉛塗層/球物料
- MSL 等級/回焊峰值
- MTBF/FIT 估算值
- 材料內容
- 認證摘要
- 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
- 晶圓廠位置
- 組裝地點
建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。