產品詳細資料

Package name DFN0603 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 4.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.75 Interface type Memory/SIM Card Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
Package name DFN0603 Peak pulse power (8/20 μs) (max) (W) 40 Vrwm (V) 5.5 Bi-/uni-directional Bi-directional Number of channels 4 IO capacitance (typ) (pF) 4.8 IEC 61000-4-2 contact (±V) 15000 IEC 61000-4-5 (A) 3 Clamping voltage (V) 10 Dynamic resistance (typ) 0.75 Interface type Memory/SIM Card Breakdown voltage (min) (V) 6 IO leakage current (max) (nA) 100 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
X2SON (DPW) 4 0.64 mm² 0.8 x 0.8
  • IEC 61000-4-2 Level 4
    • ±15-kV Contact Discharge
    • ±15-kV Air Gap Discharge
  • IEC 61000-4-5 (Surge): 3 A (8/20 µs)
  • IO Capacitance: 4.8 pF (Typical)
  • RDYN: 0.75 Ω (Typical)
  • DC Breakdown Voltage: ±6 V (Minimum)
  • Ultra Low Leakage Current: 100 nA (Maximum)
  • Clamping Voltage: 10 V (Maximum at IPP = 1 A)
  • Industrial Temperature Range: –40°C to +125°C
  • Space Saving DPW Package (0.8 mm × 0.8 mm)
  • IEC 61000-4-2 Level 4
    • ±15-kV Contact Discharge
    • ±15-kV Air Gap Discharge
  • IEC 61000-4-5 (Surge): 3 A (8/20 µs)
  • IO Capacitance: 4.8 pF (Typical)
  • RDYN: 0.75 Ω (Typical)
  • DC Breakdown Voltage: ±6 V (Minimum)
  • Ultra Low Leakage Current: 100 nA (Maximum)
  • Clamping Voltage: 10 V (Maximum at IPP = 1 A)
  • Industrial Temperature Range: –40°C to +125°C
  • Space Saving DPW Package (0.8 mm × 0.8 mm)

The TPD4E6B06 is a four channel electrostatic discharge (ESD) protection device in an ultra small DPW package. It is the industry’s smallest 4-channel transient voltage suppressor (TVS) diode with a 0.48-mm pitch. This larger pitch helps save on printed-circuit board (PCB) manufacturing costs. The device provides IEC61000-4-2 compliance up to 15-kV contact discharge. It has an ESD clamp circuit with back-to-back diodes for bipolar-bidirectional signal support. The 4.8-pF (typical) line capacitance is suitable for a wide range of applications supporting data rates up to 700 MHz.

The TPD4E6B06 is a four channel electrostatic discharge (ESD) protection device in an ultra small DPW package. It is the industry’s smallest 4-channel transient voltage suppressor (TVS) diode with a 0.48-mm pitch. This larger pitch helps save on printed-circuit board (PCB) manufacturing costs. The device provides IEC61000-4-2 compliance up to 15-kV contact discharge. It has an ESD clamp circuit with back-to-back diodes for bipolar-bidirectional signal support. The 4.8-pF (typical) line capacitance is suitable for a wide range of applications supporting data rates up to 700 MHz.

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* Data sheet TPD4E6B06 4-Channel Bidirectional Low Capacitance ESD Protection Device With 15-kV Contact and Ultra-Low Clamping Voltage datasheet (Rev. C) PDF | HTML 2017年 2月 23日
User guide Reading and Understanding an ESD Protection Data Sheet (Rev. A) PDF | HTML 2023年 9月 19日
Application note ESD Packaging and Layout Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022年 8月 18日
Application note ESD Protection Layout Guide (Rev. A) PDF | HTML 2022年 4月 7日
User guide Generic ESD Evaluation Module User's Guide (Rev. A) PDF | HTML 2021年 9月 27日
White paper Designing USB for short-to-battery tolerance in automotive environments 2016年 2月 10日
Analog Design Journal Design Considerations for System-Level ESD Circuit Protection 2012年 9月 25日

設計與開發

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開發板

ESDEVM — ESD 評估模組

靜電敏感裝置 (ESD) 評估模組 (EVM) 是我們大多數 ESD 產品組合的開發平台。此電路板配備所有傳統 ESD 元件封裝,可測試任意數量的裝置。裝置可以焊接到其相應的元件封裝上,然後進行測試。對於一般高速 ESD 二極體,會實作阻抗控制的配置以取得 S 參數並取消內嵌電路板軌跡。對於非高速 ESD 二極體,其元件封裝會包含連接至測試點的軌跡,讓您輕鬆執行 DC 測試,例如崩潰電壓、保持電壓、洩漏等。電路板配置也可以透過將訊號針腳短路到訊號所在的任何地方,讓任何裝置針腳都能輕鬆地連接到電源 (VCC) 或接地。
使用指南: PDF | HTML
TI.com 無法提供
封裝 針腳 CAD 符號、佔位空間與 3D 模型
X2SON (DPW) 4 Ultra Librarian

訂購與品質

內含資訊:
  • RoHS
  • REACH
  • 產品標記
  • 鉛塗層/球物料
  • MSL 等級/回焊峰值
  • MTBF/FIT 估算值
  • 材料內容
  • 認證摘要
  • 進行中持續性的可靠性監測
內含資訊:
  • 晶圓廠位置
  • 組裝地點

建議產品可能具有與此 TI 產品相關的參數、評估模組或參考設計。

支援與培訓

內含 TI 工程師技術支援的 TI E2E™ 論壇

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