LM7472EVM
LM74720-Q1 と LM74722-Q1 の各理想ダイオード・コントローラの評価基板
LM7472EVM
概要
TI の LM7472EVM 評価基板は、バッテリ逆接続保護アプリケーションで LM74720-Q1 と LM74722-Q1 の各理想ダイオード・コントローラを使用する場合の動作と性能を評価するのに役立ちます。この評価基板は、低静止電流 (IQ) と高速過渡応答を目的として昇圧レギュレータを内蔵した LM7472x-Q1 が、2 個の双方向 N チャネル パワー MOSFET を制御し、理想ダイオードを最初の MOSFET に接続して、後段である 2 番目の MOSFET を使用して出力の切り替えとパワー パスのカットオフを実施する方法を提示します。
特長
- 逆極性バッテリ保護
- 2 個の外部 N チャネル MOSFET をコモン・ドレイン構成で双方向接続
- 出力の切り替えとパワー・パスのカットオフ
- 過電圧保護機能
- 車載過渡耐性試験の要件に適合
理想ダイオード / OR コントローラ
購入と開発の開始
評価ボード
LM7472EVM — LM74720-Q1 と LM74722-Q1 の各理想ダイオード・コントローラの評価基板
技術資料
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