ホーム
設計および開発

LMG3425EVM-043

LMG3425R030 理想ダイオード・モード搭載の 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

購入

LMG3425EVM-043

購入

概要

LMG3425EVM-043 は、2 個の LMG3425R030 GaN FET によるハーフ・ブリッジ構成に、ラッチ型過電流保護機能を実装し、必要とされるすべての補助ペリフェラル回路を組み合わせています。  この EVM は、より大規模なシステムとの組み合わせで動作する設計を採用しています。

特長
  • 最大 600V の入力電圧で動作
  • LMG342XR0XX の性能を評価するシンプルなオープン・ループ設計
  • 可変デッドタイムの PWM 信号に対応するオンボードのシングル / デュアル PWM 入力
  • サイクルごとの過電流保護機能
  • 短いグランド・スプリング・プローブを搭載しているオシロスコープのプローブによる、ロジックと出力段測定のための利便性の高いプローブ点
窒化ガリウム (GaN) 電力段
LMG3425R030 — ドライバ、保護機能、温度レポート機能を内蔵、理想ダイオード・モードを搭載、600V、30mΩ の GaN FET
ダウンロード 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

購入と開発の開始

ハードウェア、ソフトウェア、資料のパッケージ詳細

ハードウェアとソフトウェアのパッケージ

Evaluating LMG3425R030 GaN FET power stage

パッケージの表示

このハードウェアのみ購入

ドーター・カード

LMG3425EVM-043 — LMG3425R030 理想ダイオード・モード搭載の 600V 30mΩ ハーフブリッジ・ドーター・カード

リクエスト
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

技術資料

star
= TI が選択した主要ドキュメント
結果が見つかりませんでした。検索条件をクリアして、もう一度検索を行ってください。
すべて表示 2
種類 タイトル 英語版のダウンロード 日付
* ユーザー・ガイド LMG342XEVM-04X User Guide (Rev. B) PDF | HTML 2022年 1月 30日
証明書 LMG3425EVM-043 EU Declaration of Conformity (DoC) 2020年 10月 26日

サポートとトレーニング

TI E2E™ Forums (英語) では、TI のエンジニアからの技術サポートが活用できます

すべてのフォーラムトピックを英語で表示

コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

TI 製品の品質、パッケージ、ご注文に関する質問は、TI サポートのページをご覧ください。

ビデオ