Power stages

Steigern Sie die Systemeffizienz und vereinfachen Sie Designs

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Mit unseren fortschrittlichen Leistungsstufen-Bausteinen können Sie die Lösungsgröße minimieren, die Leistungsdichte maximieren, die Effizienz optimieren und den Systemschutz stärken. Integrieren Sie unsere intelligenten Leistungsstufen mit hochpräziser Telemetrie mit unseren skalierbaren Mehrphasen-Controllern für eine optimierte Mehrphasen-DC/DC-Systemlösung. Diese Integration macht redundante Komponenten überflüssig, verringert Schaltverluste und erhöht die Zuverlässigkeit des Gesamtsystems – und das alles bei kompaktem Platzbedarf. Unsere Galliumnitrid (GaN)-FETs-Familie mit integrierten Gate-Treibern und GaN-Strombausteinen bietet die effizienteste GaN-Lösung mit hoher Zuverlässigkeit über die gesamte Lebensdauer und Kostenvorteilen. 

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LMG3650R035
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3650R035 VORSCHAU

650V 35mΩ, TOLL packaged GaN FET with integrated driver, protection and zero-voltage detection

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 10.668

LMG2640
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2640 AKTIV

650 V 105 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 6.3

LMG3100R044
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3100R044 AKTIV

4,4-mΩ-GaN-FET (100 V) mit integriertem Treiber

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.15

LMG2100R026
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2100R026 AKTIV

Galliumnitrid-Halbbrücken-Leistungsstufe (GaN) mit 100 V 2,6 mΩ

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.75

LMG3427R030
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3427R030 AKTIV

GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 8.97

LMG3624
NEW
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG3624 AKTIV

GaN-FET, 650 V, 170 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung

Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.65

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Unsere GaN- und MOSFET-Leistungsstufen erhöhen die Systemeffizienz & vereinfachen die Entwicklung

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Auf Zuverlässigkeit ausgelegt

Unsere GaN-Bausteine sind darauf ausgelegt, Hochspannungssysteme dank eines proprietären GaN-auf-Si-Prozesses, mehr als 40 Millionen Stunden an Zuverlässigkeitstests und diverser Schutzfunktionen sicher zu halten.

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Weitreichende Integration

Integrierte MOSFETs, Treiber und Strommessung bieten eine vollständige Schaltfunktion, die passive Komponenten überflüssig macht, was die Lösungsgröße reduziert und das Leiterplattenlayout vereinfacht.

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Kleinere Magneten, höhere Leistungsdichte

Unsere GaN-Bausteine ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten und können Sie dadurch dabei unterstützen, Schaltfrequenzen von über 500 kHz zu erreichen. Dies führt zu bis zu 60 % geringerem Magnetismus, verbesserter Leistung und niedrigeren Systemkosten.

Technische Ressourcen

Application note
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Thermal Performance of QFN12x12 Package for 600V, GaN Power Stage (Rev. A)
Wärmemanagement als entscheidender Faktor für den Erfolg eines Stromversorgungsdesigns Unser QFN 12 x 12 mm-Gehäuse ist für Anwendungen mit großem Leistungsbedarf ausgelegt. Erfahren Sie mehr über das Gehäuse und lesen Sie Tipps zur Optimierung Ihres thermischen Designs.
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Application note
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Power loss calculation with CSI consideration for synchronous buck converters (Rev. A)
Der synchrone Abwärtswandler ist eine weit verbreitete Topologie in Niederspannungs- und Hochstromanwendungen. Verlustarme und hocheffiziente Synchron-Abwärtswandler sind bei fortschrittlichen Mikroprozessoren der Zukunft sehr gefragt. 
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White paper
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Direct-drive configuration for GaN devices (Rev. A)
Unsere Familie von dMode-GaN-Bausteinen ermöglicht den selbstsperrenden Betrieb ohne Kaskode. Erfahren Sie mehr über die Direktantriebs-Architektur und deren Vorteile.
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