Power stages
Steigern Sie die Systemeffizienz und vereinfachen Sie Designs
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Neue Produkte
Galliumnitrid-Halbbrücken-Leistungsstufe (GaN) mit 100 V 2,6 mΩ
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 4.75
GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 8.97
GaN-FET, 650 V, 170 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 2.65
650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 6.9
GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 6.75
100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz
Ungefährer Preis (USD) 1ku | 3.25
Unsere GaN- und MOSFET-Leistungsstufen erhöhen die Systemeffizienz & vereinfachen die Entwicklung
Auf Zuverlässigkeit ausgelegt
Unsere GaN-Bausteine sind darauf ausgelegt, Hochspannungssysteme dank eines proprietären GaN-auf-Si-Prozesses, mehr als 40 Millionen Stunden an Zuverlässigkeitstests und diverser Schutzfunktionen sicher zu halten.
Weitreichende Integration
Integrierte MOSFETs, Treiber und Strommessung bieten eine vollständige Schaltfunktion, die passive Komponenten überflüssig macht, was die Lösungsgröße reduziert und das Leiterplattenlayout vereinfacht.
Kleinere Magneten, höhere Leistungsdichte
Unsere GaN-Bausteine ermöglichen schnellere Schaltgeschwindigkeiten und können Sie dadurch dabei unterstützen, Schaltfrequenzen von über 500 kHz zu erreichen. Dies führt zu bis zu 60 % geringerem Magnetismus, verbesserter Leistung und niedrigeren Systemkosten.