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LMG2650

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650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung

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LMG2650

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Produktdetails

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 95 ID (max) (A) 9.7 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 95 ID (max) (A) 9.7 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Integrated current sense, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
UNKNOWN (RFB) 19 See data sheet
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 95mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with <100ns low propagation delays
  • Programmable turn-on slew rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
  • Low-side (INL) / high-side (INH) gate-drive interlock
  • High-side (INH) gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : <8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 85µA
  • 8x6 mm QFN package with dual thermal pads
  • 650V GaN power-FET half bridge
  • 95mΩ low-side and high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with <100ns low propagation delays
  • Programmable turn-on slew rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side referenced (INH) and high-side referenced (GDH) high-side gate drive pins
  • Low-side (INL) / high-side (INH) gate-drive interlock
  • High-side (INH) gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : <8µs
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle overcurrent protection
  • Overtemperature protection
  • AUX idle quiescent current: 250µA
  • AUX standby quiescent current: 50µA
  • BST idle quiescent current: 85µA
  • 8x6 mm QFN package with dual thermal pads

The LMG2650 is a 650V 95mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2650 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm by 8mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side GaN power FET can be controlled with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2650 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down. Ultra low slew rate setting supports motor drive applications.

The LMG2650 is a 650V 95mΩ GaN power-FET half bridge. The LMG2650 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half-bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 6mm by 8mm QFN package.

Programmable turn-on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side GaN power FET can be controlled with either the low-side referenced gate-drive pin (INH) or the high-side referenced gate-drive pin (GDH). The high-side gate-drive signal level shifter reliably transmits the INH pin signal to the high-side gate driver in challenging power switching environments. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2650 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over-temperature shut down. Ultra low slew rate setting supports motor drive applications.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMG2650 650V 95 mΩ GaN Half Bridge with Integrated Driver and Current Sense Emulation datasheet PDF | HTML 16 Mai 2024
EVM User's guide LMG2650 Half-Bridge Daughtercard Evaluation Module User's Guide PDF | HTML 04 Dez 2024

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Berechnungstool

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2100R026 — Galliumnitrid-Halbbrücken-Leistungsstufe (GaN) mit 100 V 2,6 mΩ LMG2100R044 — 100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG2610 — GaN-Halbbrücke für ACF, 650 V, 170/248 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2640 — 650 V 105 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2650 — 650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3410R050 — 600 V 50 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R070 — 600-V 70 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz sowie Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3425R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temp.-Meldung, idealer Diodenmodus LMG3425R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temp.-Meldung für die Automobilindust LMG3426R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung LMG3426R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3427R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3522R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3526R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Berichtsfunktionen für die Nullspannu LMG5200 — GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V
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