LMG2610
GaN-Halbbrücke für ACF, 650 V, 170/248 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung
LMG2610
- 650-V GaN power-FET half bridge
- 170-mΩ low-side and 248-mΩ high-side GaN FETs
- Integrated gate drivers with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
- Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
- Low-side / high-side gate-drive interlock
- High-side gate-drive signal level shifter
- Smart-switched bootstrap diode function
- High-side start up : < 8 us
- Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
- Over-temperature protection with FLT pin reporting
- AUX idle quiescent current: 240 µA
- AUX standby quiescent current: 50 µA
- BST idle quiescent current: 60 µA
- Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
- 9x7 mm QFN package with dual thermal pads
The LMG2610 is a 650-V GaN power-FET half bridge intended for < 75-W active-clamp flyback (ACF) converters in switch mode power supply applications. The LMG2610 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9-mm by 7-mm QFN package.
The asymmetric GaN FET resistances are optimized for ACF operating conditions. Programmable turn on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.
The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.
The LMG2610 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over temperature shut down.
Technische Dokumentation
Typ | Titel | Datum | ||
---|---|---|---|---|
* | Data sheet | LMG2610 Integrated 650-V GaN Half Bridge for Active-Clamp Flyback Converters datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 12 Dez 2022 |
Application note | Enabling Small-Form-Factor AC/DC Adapters With use of Integrated GaN Technology | PDF | HTML | 27 Mär 2023 | |
EVM User's guide | Using the UCC28782EVM-030 (Rev. C) | PDF | HTML | 28 Jul 2022 |
Design und Entwicklung
Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.
UCC28782EVM-030 — UCC28782 Active-Clamp-Flyback-Wandler 65-W USB-C PD-EVM mit ISO7710FD
UCC28782EVM-030 demonstriert hohe Effizienz und Dichte für einen 65-W-USB Type-C&Trade; Power Delivery (PD)-Offline-Adapter mit dem UCC28782 Active-Clamp-Flyback-Controller. Der Eingang unterstützt eine universelle 90-V/AC- bis 264-V/AC-Spannung und der Einzelausgang kann auf 5 V, 9 V und 15 (...)
SNOR036 — LMG2610 Active-Clamp Flyback Power Stage Design Calculator
Unterstützte Produkte und Hardware
Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
TIDA-050074 — Referenzdesign für GaN-basierten USB PD3.0 USB-C-Adapter
PMP23146 — Active-Clamp-Flyback mit GaN-Referenzdesign und hoher Leistungsdichte, 45 W, für Server-Hilfsstrom
PMP22244 — Referenzdesign für aktiven 60-W-USB-Type-C®-Flyback mit hoher Dichte und GaN
Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
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VQFN (RRG) | 40 | Ultra Librarian |
Bestellen & Qualität
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