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Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen

LMG3411R150

AKTIV

GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz

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Datenblatt

LMG3411R150

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Produktdetails

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 150 ID (max) (A) 6 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Overtemperature protection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 150
VQFN (RWH) 32 64 mm² 8 x 8
  • TI GaN process qualified through accelerated reliability in-application hard-switching profiles
  • Enables high-density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm × 8 mm QFN package for ease of design and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V of unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20-ns propagation delay for high-frequency design
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25-V/ns to 100-V/ns adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with <100 ns response
    • Greater than 150-V/ns slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Undervoltage lockout (UVLO) protection on all supply rails
  • Device Options:
    • LMG3410R150: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R150: Cycle-by-cycle overcurrent proection
  • TI GaN process qualified through accelerated reliability in-application hard-switching profiles
  • Enables high-density power conversion designs
    • Superior system performance over cascode or stand-alone GaN FETs
    • Low inductance 8 mm × 8 mm QFN package for ease of design and layout
    • Adjustable drive strength for switching performance and EMI control
    • Digital fault status output signal
    • Only +12 V of unregulated supply needed
  • Integrated gate driver
    • Zero common source inductance
    • 20-ns propagation delay for high-frequency design
    • Trimmed gate bias voltage to compensate for threshold variations ensures reliable switching
    • 25-V/ns to 100-V/ns adjustable slew rate
  • Robust protection
    • Requires no external protection components
    • Overcurrent protection with <100 ns response
    • Greater than 150-V/ns slew rate immunity
    • Transient overvoltage immunity
    • Overtemperature protection
    • Undervoltage lockout (UVLO) protection on all supply rails
  • Device Options:
    • LMG3410R150: Latched overcurrent protection
    • LMG3411R150: Cycle-by-cycle overcurrent proection

The LMG341xR150 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The inherent advantages of this device over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR150 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero VDS ringing, less than 100-ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.

The LMG341xR150 GaN FET with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The inherent advantages of this device over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.

The LMG341xR150 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100 V/ns switching with near zero VDS ringing, less than 100-ns current limiting response self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
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Design und Entwicklung

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Unterstützte Produkte und Hardware

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Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
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SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet

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Referenzdesigns

TIDA-00915 — Dreiphasiger 1,25-kW-200-VAC-GaN-Inverter mit kleinem Formfaktor – Referenzdesign für integrierte An

This reference design is a three-phase inverter with a continuous power rating of 1.25 kW at 50°C ambient and 550 W at 85°C ambient for driving 200-V AC servo motors. It features 600-V LMG3411R150 Gallium Nitride (GaN) power modules with an integrated FET and gate driver mounted on an (...)
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Referenzdesigns

PMP22538 — Referenzdesign für 60-W-GaN-GaN-Flyback-Controller

Dieses Referenzdesign verwendet einen UCC28811-PFC-Flyback-Controller (Power Factor Correction), um einen isolierten 60-V-Ausgang zu erzeugen, der eine Last von 1 A ermöglicht und gleichzeitig die harmonische Verzerrung am Eingang niedrig hält. Der LMG3411R150 GaN-Primärschalter bietet Designern (...)
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (RWH) 32 Ultra Librarian
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