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Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
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LMG3426R050

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GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung

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LMG3426R050

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Produktdetails

VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Zero voltage detection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VDS (max) (V) 600 RDS(on) (mΩ) 50 ID (max) (A) 44 Features Bottom-side cooled, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Latched overcurrent protection, Overtemperature protection, PWM temperature reporting, Zero voltage detection Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125
VQFN (RQZ) 54 144 mm² 12 x 12
  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 3.6MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • LMG3426R050 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
  • Qualified for JEDEC JEP180 for hard-switching topologies
  • 600V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
    • Integrated high precision gate bias voltage
    • 200V/ns FET hold-off
    • 3.6MHz switching frequency
    • 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
    • Operates from 7.5V to 18V supply
  • Robust protection
    • Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
    • Withstands 720V surge while hard-switching
    • Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
  • Advanced power management
    • Digital temperature PWM output
    • LMG3426R050 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters

The LMG342xR050 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3426R050 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.

The LMG342xR050 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.

The LMG342xR050 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TI’s low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3426R050 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.

Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.

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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet LMG342xR050 600 V 50 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. C) PDF | HTML 29 Feb 2024

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

LMG342X-BB-EVM — LMG342x Evaluierungsmodul

Das LMG342X-BB-EVM ist eine einfach zu handhabende Breakout-Platine zum Konfigurieren einer beliebigen LMG342xR0x0-Halbbrücken-Platine, z. B. LMG3422EVM-043, als Synchron-Abwärtswandler. Dieses Evaluierungsmodul (EVM) ermöglicht durch die Bereitstellung einer Leistungsstufe, Vorspannungsversorgung (...)

Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Tochterkarte

LMG3422EVM-043 — LMG3422R030 600-V 30-mΩ Halbbrücken-Tochterkarte

Das LMG3422EVM-043 konfiguriert zwei GaN-FETs LMG3422R030 in einer Halbbrücke mit Latched-Überstromschutzfunktion und allen erforderlichen zusätzlichen Peripherieschaltungen. Dieses EVM ist für den Betrieb mit größeren Systemen ausgelegt.
Benutzerhandbuch: PDF | HTML
Nicht verfügbar auf TI.com
Berechnungstool

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
Unterstützte Produkte und Hardware

Unterstützte Produkte und Hardware

Produkte
Galliumnitrid (GaN)-Leistungsstufen
LMG2100R026 — Galliumnitrid-Halbbrücken-Leistungsstufe (GaN) mit 100 V 2,6 mΩ LMG2100R044 — 100-V-Halbbrücken-GaN-FET, 4,4 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz LMG2610 — GaN-Halbbrücke für ACF, 650 V, 170/248 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2640 — 650 V 105 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG2650 — 650 V 95 mΩ GaN-Halbbrücke mit integriertem Treiber, Schutz und Strommessung LMG3410R050 — 600 V 50 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R070 — 600-V 70 mΩ GaN mit integriertem Treiber und Schutz LMG3410R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Überstromschutz LMG3411R050 — GaN, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber und Schutz sowie Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R070 — GaN, 600 V, 70 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3411R150 — GaN, 600 V, 150 mΩ, mit integriertem Treiber und Zyklus-für-Zyklus-Überstromschutz LMG3422R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3422R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3425R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temp.-Meldung, idealer Diodenmodus LMG3425R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temp.-Meldung für die Automobilindust LMG3426R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannung LMG3426R050 — GaN-FET, 600 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3427R030 — GaN-FET, 600 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullstrom LMG3522R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3522R030-Q1 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit Integration von Treiber, Schutz und Temperaturmeldung für die Automobilin LMG3522R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung LMG3526R030 — GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Nullspannungserkennung LMG3526R050 — GaN-FET, 650 V, 50 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Berichtsfunktionen für die Nullspannu LMG5200 — GaN-Halbbrücken-Leistungsstufe für 80 V
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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
VQFN (RQZ) 54 Ultra Librarian
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