LMG3522R030
GaN-FET, 650 V, 30 mΩ, mit integriertem Treiber, Schutz und Temperaturmeldung
LMG3522R030
- 650V GaN-on-Si FET with integrated gate driver
- Integrated high precision gate bias voltage
- 200V/ns FET hold-off
- 2MHz switching frequency
- 20V/ns to 150V/ns slew rate for optimization of switching performance and EMI mitigation
- Operates from 7.5V to 18V supply
- Robust protection
- Cycle-by-cycle overcurrent and latched short-circuit protection with < 100ns response
- Withstands 720V surge while hard-switching
- Self-protection from internal overtemperature and UVLO monitoring
- Advanced power management
- Digital temperature PWM output
- LMG3526R030 includes zero-voltage detection (ZVD) feature that facilitates soft-switching converters
- Top-side cooled 12mm × 12mm VQFN package separates electrical and thermal paths for lowest power loop inductance
The LMG352xR030 GaN FET with integrated driver and protection is targeted at switch-mode power converters and enables designers to achieve new levels of power density and efficiency.
The LMG352xR030 integrates a silicon driver that enables switching speed up to 150V/ns. TI’s integrated precision gate bias results in higher switching SOA compared to discrete silicon gate drivers. This integration, combined with TIs low-inductance package, delivers clean switching and minimal ringing in hard-switching power supply topologies. Adjustable gate drive strength allows control of the slew rate from 20V/ns to 150V/ns, which can be used to actively control EMI and optimize switching performance. The LMG3526R030 includes the zero-voltage detection (ZVD) feature which provides a pulse output from the ZVD pin when zero-voltage switching is realized.
Advanced power management features include digital temperature reporting and fault detection. The temperature of the GaN FET is reported through a variable duty cycle PWM output, which simplifies managing device loading. Faults reported include overcurrent, short-circuit, overtemperature, VDD UVLO, and high-impedance RDRV pin.
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Technische Dokumentation
Typ | Titel | Datum | ||
---|---|---|---|---|
* | Data sheet | LMG352xR030 650 V 30 mΩ GaN FET With Integrated Driver, Protection, and Temperature Reporting datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 23 Mai 2024 |
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Design und Entwicklung
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Gehäuse | Pins | CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle |
---|---|---|
VQFN (RQS) | 52 | Ultra Librarian |
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