DATA SHEET
BQ2945xy 2 直列および 3 直列セル・リチウムイオン・バッテリ向け過電圧保護
このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。
1 特長
- 2 次保護向けの 2 直列セルおよび 3 直列セル過電圧モニタ
- 固定プログラマブル遅延タイマ
- 固定 OVP スレッショルド
- 利用可能レンジ：3.85V～4.6V
- 固定 OVP 遅延の選択肢：4 秒または 6.5 秒
- 高精度の過電圧保護：
±10mV - 低消費電力 ICC ≈ 1µA
(VCELL(ALL) ＜ VPROTECT) - セル入力あたりのリーク電流が低い：100nA 未満
- 小さいパッケージ占有面積
- 6 ピン SON
2 アプリケーション
- 以下に使うリチウムイオン・バッテリ・パックの 2 次保護機能
3 概要
BQ2945xy 製品ファミリは、リチウムイオン・バッテリ・パック・システムに最適な 2 次側電圧モニタ / プロテクタです。各セルの過電圧状況を個別に監視できます。構成に基づき、2 セルまたは 3 セルのいずれかに過電圧条件が発生した場合、固定遅延の後に出力がトリガされます。過電圧条件が指定済み遅延タイマを満たした後、この出力は HIGH 状態にトリガされます。
製品情報
| 部品番号(1) | パッケージ | 本体サイズ (公称) |
|---|---|---|
| BQ2945xy | SON (6) | 2.00mm × 2.00mm |
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
概略回路図4 Revision History
Changes from Revision J (June 2022) to Revision K (August 2022)
- Changed the BQ294534 device to Production DataGo
- Changed the BQ294534 device to Production Data in the Section 7.5 Go
Changes from Revision I (May 2021) to Revision J (June 2022)
- Added the PRODUCT PREVIEW BQ294534 deviceGo
- Added the PRODUCT PREVIEW BQ294534 device to the Section 7.5 Go
Changes from Revision H (December 2017) to Revision I (May 2021)
- Changed the BQ294506 device to Production DataGo
Changes from Revision G (November 2017) to Revision H (December 2017)
- Added the BQ294506 deviceGo
- Added the BQ294506 device to the Section 7.5 Go
- Added the BQ294506 OVP accuracy of +/–7 mV at 25°CGo
5 Device Comparison Table
| TA | PART NUMBER | OVP (V) | DELAY TIME (s) |
|---|---|---|---|
| –40°C to +110°C | BQ294502 | 4.35 | 4 |
| BQ294504 | 4.35 | 6.5 | |
| BQ294506 | 4.38 | 4 | |
| BQ294512 | 4.4 | 4 | |
| BQ294522 | 4.45 | 4 | |
| BQ294524 | 4.45 | 6.5 | |
| BQ294532 | 4.5 | 4 | |
| BQ294533 | 4.5 | 6.5 | |
| BQ294534 | 4.55 | 4 | |
| BQ294582 | 4.225 | 4 | |
| BQ294592 | 4.3 | 4 |
6 Pin Configuration and Functions
Figure 6-1 DRV Package6-Pin SONTop View
Table 6-1 Pin Functions
| NUMBER | NAME | TYPE(1) | DESCRIPTION |
|---|---|---|---|
| 1 | V3 | IA | Sense input for positive voltage of the third cell from the bottom of the stack. |
| 2 | V2 | IA | Sense input for positive voltage of the second cell from the bottom of the stack. |
| 3 | VSS | P | Electrically connected to IC ground and negative terminal of the lowest cell in the stack. |
| 4 | V1 | IA | Sense input for positive voltage of the lowest cell in the stack. |
| 5 | VDD | P | Power supply |
| 6 | OUT | OA1 | Output drive for external N-channel FET. |
| — | PWRPAD | — | VSS pin to be connected to the PWRPAD on the printed-circuit-board (PCB) for proper operation. |
(1) IA = Input Analog, OA = Output Analog,
P = Power Connection
