JAJSCZ6G March 2017 – August 2021 ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844
PRODUCTION DATA
パラメータ | テスト条件 | 最小値 | 標準値 | 最大値 | 単位 | |
---|---|---|---|---|---|---|
VISO | 絶縁電源電圧 | 外部 IISO = 0~50mA | 4.75 | 5.07 | 5.43 | V |
外部 IISO = 0~130mA | 4.5 | 5.07 | 5.43 | |||
VISO(LINE) | DC ライン・レギュレーション | IISO = 50mA、VCC = 4.5V~5.5V | 2 | mV/V | ||
VISO(LOAD) | DC 負荷レギュレーション | IISO = 0~130mA | 1% | |||
EFF | 最大負荷電流時の効率 | IISO = 130mA、CLOAD = 0.1µF || 10µF、 VI = VSI (ISOW784x)、 I = 0V (接尾辞 F 付きの ISOW784x) | 53% | |||
VCC+(UVLO) | VCC、VISO の正方向 UVLO スレッショルド | 2.7 | V | |||
VCC–(UVLO) | VCC、VISO の負方向 UVLO スレッショルド | 2.1 | V | |||
VHYS (UVLO) | VCC、VISO の UVLO スレッショルド・ヒステリシス | 0.2 | V | |||
VITH | 入力ピンの立ち上がりスレッショルド | 0.7 | VSI | |||
VITL | 入力ピンの立ち下がりスレッショルド | 0.3 | VSI | |||
VI(HYS) | 入力ピン・スレッショルドのヒステリシス (INx) | 0.1 | VSI | |||
IIL | LOW レベル入力電流 | INx または SELで VIL = 0 のとき | –10 | µA | ||
IIH | HIGH レベル入力電流 | INx または SELで VIH = VSI(1) のとき | 10 | µA | ||
VOH | HIGH レベル出力電圧 | IO = -4mA、図 8-1 を参照 | VSO(1) – 0.4 | VSO – 0.2 | V | |
VOL | LOW レベル出力電圧 | IO = 4mA、図 8-1 を参照 | 0.2 | 0.4 | V | |
CMTI | 同相過渡耐性 | VI = VSI または 0V、VCM = 1000V、図 8-2 を参照してください | 100 | kV/us | ||
ICC_SC | VISO 短絡時の電源からの DC 電流 | VISO と GND2 を短絡 | 137 | mA | ||
VISO(RIP) | 絶縁型電源の出力リップル (ピーク・ツー・ピーク) | 帯域幅 20MHz、CLOAD = 0.1µF || 20µF、IISO = 130mA | 100 | mV |