JAJSRD1 データシート

JAJSRD1B August 2014 – February 2024 THS4541

PRODUCTION DATA

6.8 代表的特性：3V 単一電源

Rf = 402Ω、Vout = 100mV_PP、抵抗値については図 7-1 および表 8-1 を参照

図 6-19 小信号周波数応答とゲインとの関係

Vout = 100mV_PP、図 7-1 を参照、Vocm は調整済み

図 6-21 小信号周波数応答と Vocm との関係

負荷 100mV_PP、Av = 2 (図 7-11 を参照)、Cload の前の出力に 2 つの直列の Ro を追加

図 6-23 小信号周波数応答と Cload との関係

50MHz 入力、0.3ns 入力エッジレート、シングルエンド入力から差動出力、DC 結合、図 7-3 を参照

図 6-25 小信号および大信号のステップ応答

G = 5V/V、50MHz 入力、0.3ns 入力エッジレート、シングルエンド入力から差動出力、図 7-1 を参照

図 6-27 小信号および大信号のステップ応答

2ns の入力遷移時間のシミュレーション (図 7-3 を参照)

図 6-29 小信号および大信号ステップセトリングタイム

2V_PP 出力、図 7-1 を参照 (Vs+ = 3V、Vocm = 1.5V)

図 6-31 全周波数帯域の高調波歪み

1V_PP (各トーン)、図 7-1 を参照 (Vs+ = 3V、Vocm = 1.5V)

図 6-33 全周波数帯域の IMD2 と IM3

f = 10MHz、2V_PP 出力、図 7-3 を参照、Vocm は調整済み

図 6-35 高調波歪みと Vocm との関係

図 7-1 を参照、V_CC = 3V、Vocm = 1.5V

図 6-20 周波数応答と Vopp との関係

Vout = 100mV_PP、図 7-1 を参照、Rload は調整済み

図 6-22 小信号周波数応答と Rload との関係

出力の 2 つの Ro と 500Ω と並列の差動 Cload、図 7-11 および表 8-1 を参照

図 6-24 推奨される Ro と Cload との関係

22pF Cload への 500mV_PP 出力、図 7-11 を参照 (Vs+ = 3V、Vocm = 1.5V)

図 6-26 容量性負荷へのステップ応答

G = 5V/V、22pF Cload への 500mVpp 出力、図 7-11 および表 8-1 を参照

図 6-28 容量性負荷へのステップ応答

シングルエンドから差動、ゲイン = 2
(図 7-3 を参照)、 > 2 倍のオーバードライブ

図 6-30 オーバードライブ復帰性能

f = 10MHz、図 7-1 を参照 (Vs+ = 3V、Vocm = 1.5V)

図 6-32 高調波歪みと出力スイングとの関係

f = 10MHz、図 7-1 を参照 (Vs+ = 3V、Vocm = 1.5V)

図 6-34 高調波歪みと Rload との関係

f = 10MHz、2V_PP 出力、
ゲイン設定は図 7-1 および表 8-1 を参照

図 6-36 高調波歪みとゲインとの関係