JAJSHA9E may   2019  – april 2023 TLV9001-Q1 , TLV9002-Q1 , TLV9004-Q1

PRODMIX  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 デバイス比較表
  7. 6 ピン構成および機能
  8. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 シングル・チャネルの熱に関する情報
    5. 7.5 デュアル・チャネルの熱に関する情報
    6. 7.6 クワッド・チャネルの熱に関する情報
    7. 7.7 電気的特性
    8. 7.8 代表的特性
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 動作電圧
      2. 8.3.2 レール・ツー・レール入力
      3. 8.3.3 レール・ツー・レール出力
      4. 8.3.4 過負荷からの回復
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 TLV900x-Q1 ローサイド電流検出アプリケーション
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
      2. 9.2.2 単一電源のフォトダイオード・アンプ
        1. 9.2.2.1 設計要件
        2. 9.2.2.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.2.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
      1. 9.3.1 入力および ESD 保護
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 ドキュメントのサポート
      1. 10.1.1 関連資料
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

9.2.1.2 詳細な設計手順

図 9-1 の回路の伝達関数は、式 1 に示すとおりです。

式 1. V O U T   =   I L O A D   ×   R S H U N T   ×   G a i n  

負荷電流 (ILOAD) により、シャント抵抗 (RSHUNT) の両端で電圧降下が発生します。負荷電流は 0A～1A に設定されます。最大負荷電流時にシャント電圧を 100mV 未満に維持するため、最大のシャント抵抗は式 2 を使用して計算されます。

式 2. R S H U N T   =   V S H U N T _ M A X I L O A D _ M A X   =   100   m V 1   A   =   100   m Ω  

式 2 から、RSHUNT は 100mΩ と計算されます。ILOAD と RSHUNT によって生成される電圧降下は、TLV900x-Q1 デバイスによって増幅され、約 0V～4.9V の出力電圧を生成します。TLV900x-Q1 が必要な出力電圧を生成するために要求するゲインは、式 3 で計算されます。

式 3. G a i n   =   V O U T _ M A X   -   V O U T _ M I N V I N _ M A X -   V I N _ M I N  

式 3 から、必要なゲインは 49V/V と計算されます。これは抵抗 RF と RG で設定します。TLV900x-Q1 デバイスのゲインを 49V/V に設定するための抵抗 RF および RG のサイズは式 4 で計算します。

式 4. G a i n   =   1   +   R F R G  

RF に 57.6kΩ、RG に 1.2kΩを選択すると、組み合わせで 49V/V に等しくなります。図 9-1 に示す回路で測定された伝達関数を、図 9-2 に示します。ゲインは、帰還抵抗とゲイン抵抗のみの関数であることに注意します。このゲインは、抵抗の比を変えることで調整され、実際の抵抗値は、設計に必要とされるインピーダンス値によって決定されます。そのインピーダンス値によって、電流ドレイン、浮遊容量の影響、その他の複数の挙動が決まります。最適なインピーダンスの選択はシステムごとに異なるので、システムのパラメータに合わせて最適なインピーダンスを選択する必要があります。