JAJSJ34H April   1997  – October 2024 UC1842 , UC1843 , UC1844 , UC1845 , UC2842 , UC2843 , UC2844 , UC2845 , UC3842 , UC3843 , UC3844 , UC3845

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  ピンの詳細説明
        1. 7.3.1.1 COMP
        2. 7.3.1.2 VFB
        3. 7.3.1.3 ISENSE
        4. 7.3.1.4 RT/CT
        5. 7.3.1.5 GROUND
        6. 7.3.1.6 出力
        7. 7.3.1.7 VCC
        8. 7.3.1.8 VREF
      2. 7.3.2  パルス単位の電流制限
      3. 7.3.3  電流検出
      4. 7.3.4  出力抵抗の低いエラー アンプ
      5. 7.3.5  低電圧誤動作防止
      6. 7.3.6  発振器
      7. 7.3.7  同期
      8. 7.3.8  シャットダウン技法
      9. 7.3.9  勾配補償
      10. 7.3.10 ソフト スタート
      11. 7.3.11 電圧モード
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 通常動作
      2. 7.4.2 UVLO モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
      1. 8.1.1 開ループのテスト装置
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1  入力バルク容量と最小バルク電圧
        2. 8.2.2.2  トランスの巻線比と最大デューティ サイクル
        3. 8.2.2.3  トランスのインダクタンスとピーク電流
        4. 8.2.2.4  出力コンデンサ
        5. 8.2.2.5  電流検出ネットワーク
        6. 8.2.2.6  ゲート ドライブ抵抗
        7. 8.2.2.7  VREF コンデンサ
        8. 8.2.2.8  RT/CT
        9. 8.2.2.9  スタートアップ回路
        10. 8.2.2.10 電圧帰還補償
          1. 8.2.2.10.1 電力段の極とゼロ
          2. 8.2.2.10.2 スロープ補償
          3. 8.2.2.10.3 開ループ・ゲイン
          4. 8.2.2.10.4 補償ループ
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
        1. 8.4.1.1 フィードバック配線
        2. 8.4.1.2 バイパス コンデンサ
        3. 8.4.1.3 補償部品
        4. 8.4.1.4 配線とグランド プレーン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    2. 9.2 サポート・リソース
    3. 9.3 商標
    4. 9.4 静電気放電に関する注意事項
    5. 9.5 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.2.2.6 ゲート ドライブ抵抗

RG は、パワー スイッチ QSW のゲート ドライバ抵抗です。この抵抗の値は、EMI 準拠テストや効率テストと合わせて選択する必要があります。RG に大きな抵抗値を使用すると、MOSFET のターンオンとターンオフが低速になります。スイッチング速度が遅いと、EMI は減少しますが、スイッチング損失が増加します。スイッチング損失と EMI 性能との間のトレードオフは、慎重に検討する必要があります。この設計では、ゲート駆動抵抗に 10Ω の抵抗を選択しています。