DATA SHEET
UCCx8C5x BiCMOS 低消費電力、電流モード PWM コントローラSi および SiC MOSFET 用
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1 特長
- Si および SiC の両方の MOSFET アプリケーションをサポートする低電圧誤動作防止オプション
- 30V の絶対最大定格電圧
- 最大 1MHz の固定周波数動作
- スタートアップ電流：50μA (標準値)、75μA (最大値)
- 小さい動作電流：1.3mA (fOSC = 52kHz 時)
- 高速な 35ns のサイクルごとの過電流制限
- ±1A のピーク駆動電流
- レール・ツー・レール出力
- 25ns の立ち上がり時間
- 20ns の立ち下がり時間
- ±1% 精度、2.5V の誤差増幅器基準電圧
- UCCx8C4x のピン互換およびドロップイン代替品
- 機能安全対応
- 機能安全システムの設計に役立つ資料を利用可能
2 アプリケーション
- 汎用シングルエンド DC/DC またはオフライン絶縁型電源コンバータ
- 太陽光発電用電力インバータ、モーター駆動、エネルギー貯蔵システム用の補助電源
- EV 充電ステーション向け絶縁型電源
3 概要
UCCx8C5x デバイス・ファミリは、各種アプリケーションの Si と SiC の両方の MOSFET を駆動できる高性能電流モード PWM コントローラです。UCCx8C5x ファミリは、UCCx8C4x に対して効率と信頼性を高めたバージョンです。
UCCx8C5x ファミリは、Si MOSFET を引き続きサポートするための既存の UVLO スレッショルド (UCCx8C50～55) に加えて、SiC MOSFET を確実に動作させることができる新しい UVLO スレッショルド (UCC28C56～59) を備えています。
VDD の絶対最大定格電圧は 20V から 30V に拡張されており、20Vgs、18Vgs、または 15Vgs の SiC MOSFET ゲートを最適に駆動すると共に、外部の LDO は不要となります。
デバイスの性能の向上
| パラメータ | UCCx8C4x | UCCx8C5x |
|---|---|---|
| 52kHz 時の消費電流 | 2.3mA | 1.3mA |
| スタートアップ電流 (最大値) | 100μA | 75µA |
| VDD 絶対最大定格 | 20V | 30V |
| 基準電圧精度 | ±2% | ±1% |
| Si FET の UVLO および DMAX | 6 つのオプション | 6 つのオプション |
| SiC FET の UVLO および DMAX | なし | 6 つのオプション |
| 最小パッケージ・オプション | VSSOP (8) | VSSOP (8) |
UCCx8C5x ファミリは、8 ピン VSSOP (DGK) および 8 ピン SOIC (D) パッケージで供給されます。
製品情報
| 部品番号 | パッケージ (1) | 本体サイズ (公称) |
|---|---|---|
| UCC28C50、UCC28C51 UCC28C52、UCC28C53、 UCC28C54、UCC28C55、 UCC38C50、UCC38C51 UCC38C52、UCC38C53 UCC38C54、UCC38C55 |
SOIC (8) | 3.91mm × 4.90mm |
| VSSOP (8) | 3.00mm × 3.00mm | |
| UCC28C56H、UCC28C56L UCC28C57H、UCC28C57L、 UCC28C58、UCC28C59 |
SOIC (8) | 3.91mm × 4.90mm |
(1) 利用可能なすべてのパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
簡略化されたアプリケーション