JAJSLV4O June   2013  – January 2026 WL1801MOD , WL1805MOD , WL1831MOD , WL1835MOD

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 機能ブロック図
  6. 5 デバイスの比較
    1. 5.1 関連製品
  7. 6 ピン構成および機能
    1. 6.1 ピン属性
  8. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  外部デジタル低速クロックの要件
    5. 7.5  MOC 100 ピン パッケージの熱抵抗特性
    6. 7.6  WLAN のパフォーマンス：2.4GHz レシーバの特性
    7. 7.7  WLAN のパフォーマンス：2.4GHz トランスミッタ出力
    8. 7.8  WLAN のパフォーマンス：電流
    9. 7.9  Bluetooth パフォーマンス：BR、EDR レシーバの特性 - インバンド信号
    10. 7.10 Bluetooth パフォーマンス：トランスミッタ、BR
    11. 7.11 Bluetooth パフォーマンス：トランスミッタ、EDR
    12. 7.12 Bluetooth パフォーマンス：変調、BR
    13. 7.13 Bluetooth パフォーマンス：変調、EDR
    14. 7.14 Bluetooth Low Energy のパフォーマンス：レシーバの特性 - 帯域内信号
    15. 7.15 Bluetooth Low Energy のパフォーマンス：トランスミッタ特性
    16. 7.16 Bluetooth Low Energy のパフォーマンス：変調特性
    17. 7.17 Bluetooth BR および EDR の動的電流
    18. 7.18 Bluetooth Low Energy の電流
    19. 7.19 タイミングおよびスイッチング特性
      1. 7.19.1 パワー・マネージメント
        1. 7.19.1.1 ブロック図 - 内部 DC-DC
      2. 7.19.2 電源オン状態とシャットダウン状態
      3. 7.19.3 チップのトップ・レベルの電源オン・シーケンス
      4. 7.19.4 WLAN の電源オン・シーケンス
      5. 7.19.5 Bluetooth - Bluetooth Low Energy の電源オン シーケンス
      6. 7.19.6 WLAN SDIO トランスポート層
        1. 7.19.6.1 SDIO のタイミング仕様
        2. 7.19.6.2 SDIO のスイッチング特性 - 高速
      7. 7.19.7 すべての機能ブロック用の HCI UART 共有トランスポート層 (WLAN を除く)
        1. 7.19.7.1 UART 4 線式インターフェイス - H4
      8. 7.19.8 Bluetooth コーデック - PCM (オーディオ) のタイミング仕様
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 WLAN の機能
    2. 8.2 Bluetooth の機能
    3. 8.3 Bluetooth Low Energy 機能
    4. 8.4 デバイスの認証
      1. 8.4.1 FCC 認証および声明
      2. 8.4.2 カナダ・イノベーション・科学経済開発省 (ISED)
      3. 8.4.3 ETSI/CE
      4. 8.4.4 MIC 認定
    5. 8.5 モジュールのマーキング
    6. 8.6 テスト グレード
    7. 8.7 最終製品のラベリング
    8. 8.8 エンド ユーザー向けマニュアルに関する情報
  10. 9 アプリケーション、実装、およびレイアウト
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 代表的なアプリケーション - WL1835MODGB のリファレンス デザイン
      2. 9.1.2 設計の推奨事項
      3. 9.1.3 RF トレースとアンテナのレイアウトに関する推奨事項
      4. 9.1.4 モジュールのレイアウトに関する推奨事項
      5. 9.1.5 基板の熱に関する推奨事項
      6. 9.1.6 ベーキングと SMT に関する推奨事項
        1. 9.1.6.1 ベーキングに関する推奨事項
        2. 9.1.6.2 SMT に関する推奨事項
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイスのサポート
      1. 10.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 10.1.2 開発サポート
        1. 10.1.2.1 ツールとソフトウェア
      3. 10.1.3 デバイス・サポートの表記規則
    2. 10.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 10.3 サポート・リソース
    4. 10.4 商標
    5. 10.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 10.6 用語集
  12. 11改訂履歴
  13. 12メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 12.1 TI モジュールのメカニカル外形
    2. 12.2 テープおよびリール情報
      1. 12.2.1 テープおよびリール仕様
      2. 12.2.2 梱包仕様
        1. 12.2.2.1 リール・ボックス
        2. 12.2.2.2 梱包箱
    3. 12.3 パッケージ情報
      1. 12.3.1 付録：パッケージ･オプション

パッケージ・オプション

デバイスごとのパッケージ図は、PDF版データシートをご参照ください。

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
  • MOC|100
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

7.5 MOC 100 ピン パッケージの熱抵抗特性

熱評価基準(1)(℃/W)(2)
θJA接合部から自由気流(3)16.6
θJB接合部から基板へ6.06
θJC接合部からケースへ(4)5.13
(1) 従来および最新の熱評価基準の詳細については、『半導体および IC パッケージの熱評価基準』アプリケーション レポートを参照してください。
(2) これらの値は、JEDEC 定義の 2S2P システム (JEDEC 定義の 1S0P システムに基づくシータ JC [RθJC] 値を除く) に基づいており、環境とアプリケーションに基づいて変化します。詳細については、以下の EIA/JEDEC 規格を参照してください。
  • 『JESD51-2、IC の熱テスト手法の環境条件 - 自然対流 (静止空気)』
  • 『JESD51-3、リード付き表面実装パッケージ用の有効熱伝導率の低いテスト基板』
  • 『JESD51-7、リード付き表面実装パッケージ用の有効熱伝導率の高いテスト基板』
  • 『JESD51-9、エリア アレイ表面実装パッケージの熱測定用のテスト基板』

    消費電力は 2W、周囲温度は 70℃と仮定しています。

(3) JEDEC EIA/JESD 51 ドキュメントに従う
(4) 36 のサーマル ビアを持つ JEDEC 2s2p 熱テスト基板を使用してモデル化