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  • LMG3100R017 (126A)、LMG3100R044 (46A) 100V、ドライバ内蔵 GaN FET

    • JAJSSU3C January   2024  – March 2025 LMG3100R017 , LMG3100R044

      PRODUCTION DATA  

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  • LMG3100R017 (126A)、LMG3100R044 (46A) 100V、ドライバ内蔵 GaN FET
  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 熱に関する情報
    6. 5.6 電気的特性
    7. 5.7 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
    1. 6.1 伝搬遅延とミスマッチ測定
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 制御入力
      2. 7.3.2 起動と UVLO
      3. 7.3.3 ブートストラップ電源電圧クランプ
      4. 7.3.4 レベル シフト
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 VCC バイパス コンデンサ
        2. 8.2.2.2 ブートストラップ コンデンサ
        3. 8.2.2.3 スルー レート制御
        4. 8.2.2.4 アナログ コントローラと組み合わせて使用
        5. 8.2.2.5 電力散逸
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 ドキュメントのサポート
      1. 9.1.1 関連資料
    2. 9.2 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    3. 9.3 サポート・リソース
    4. 9.4 商標
    5. 9.5 静電気放電に関する注意事項
    6. 9.6 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報
    1. 11.1 パッケージ情報
  13. 重要なお知らせ
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Data Sheet

LMG3100R017 (126A)、LMG3100R044 (46A) 100V、ドライバ内蔵 GaN FET

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

最新の英語版をダウンロード

1 特長

  • 内蔵の 1.7mΩ (LMG3100R017) または 4.4mΩ (LMG3100R044) GaN FET およびドライバ
  • 電圧定格：連続 100V、パルス 120V
  • ハイサイドのレベル シフトとブートストラップを内蔵
  • 2 つの LMG3100 でハーフ ブリッジを形成
    • 外付けのレベル シフタが不要
  • 5V の外部バイアス電源
  • 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
  • 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
  • ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
  • 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
  • 電源レールの低電圧誤動作防止保護
  • 低消費電力
  • 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
  • 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
  • 底面に底面冷却用の大型露出パッド

 
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