データシート
LMG3100R017
- 1.7mΩ の GaN FET とドライバを内蔵
- 電圧定格：連続 100V、パルス 120V
- ハイサイドのレベル シフトとブートストラップを内蔵
- 2 つの LMG3100 でハーフ ブリッジを形成
- 外付けのレベル シフタが不要
- 5V の外部バイアス電源
- 3.3V および 5V の入力ロジック レベルをサポート
- 低リンギングで、高スルーレートのスイッチング
- ゲート ドライバは最高 10MHz のスイッチングが可能
- 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FET オーバードライブを防止
- 電源レールの低電圧誤動作防止保護
- 低消費電力
- 簡単に PCB をレイアウトするよう最適化されたパッケージ
- 上面冷却用の露出上面 QFN パッケージ
- 底面に底面冷却用の大型露出パッド
LMG3100 デバイスは、100V 連続、120V パルス、126A、ドライバを内蔵した、窒化ガリウム (GaN) FET です。このデバイスは、高周波 GaN FET ドライバによって駆動される 100V の GaN FET で構成されています。LMG3100 には、ハイサイドのレベル シフタとブートストラップ回路が組み込まれているので、追加のレベル シフタなしで、2 つの LMG3100 デバイスを使用してハーフ ブリッジを形成できます。
GaN FET は逆方向回復時間がゼロで、入力容量 CISS および出力容量 COSS が非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。ドライバおよび GaN FET は、ボンド ワイヤを一切使用しないパッケージ プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG3100 デバイスは、6.5mm × 4mm × 0.89mm の鉛フリー パッケージで供給され、簡単に PCB へ取り付けできます。
TTL ロジック互換の入力は、VCC 電圧にかかわらず 3.3V および 5V のロジック レベルをサポートできます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント モード GaN FET のゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。
このデバイスは、ディスクリート GaN FET に対してより使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。
技術資料
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|---|---|---|---|---|---|---|
| * | データシート | LMG3100R017 100V、126A、ドライバ内蔵 GaN FET データシート (Rev. A 翻訳版) | PDF | HTML | 最新英語版 (Rev.B) | PDF | HTML | 2024年 9月 6日 |
| 技術記事 | GaN を採用してエレクトロニクス設計を変革する、4 種類の中電圧向けアプリケーション | PDF | HTML | 英語版 | PDF | HTML | 2024年 2月 20日 | |
| 技術記事 | GaN 可推動電子設計轉型的 4 種中電壓應用 | PDF | HTML | 2024年 2月 20日 | |||
| 技術記事 | GaN이 전자 설계를 혁신하는 4가지 중전압 애플리케이션 | PDF | HTML | 2024年 2月 20日 |
設計および開発
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評価ボード
LMG3100EVM-089 — LMG3100 の評価基板
LMG3100 評価基板 (EVM) は、外部 PWM (パルス幅変調) 信号と組み合わせて使用する小型で使いやすい電力段です。この基板は、1 個のハーフブリッジを使用して、降圧コンバータ、昇圧コンバータ、他のコンバータいずれかのトポロジに構成することができます。この評価基板 (EVM) は 2 個の LMG3100 パワー モジュールを実装しており、各モジュールは、ドライバを内蔵した 100V 1.7mΩ の GaN FET を 1 個搭載しています。
リファレンス・デザイン
PMP23392 — 車載アプリケーション向け、48V、GaN FET を使用する 2 相降圧コンバータのリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、単相同期整流降圧コントローラである LM5148-Q1 を 2 個、また GaN FET である LMG3100R017 を 4 個搭載し、2 相インターリーブ同期整流降圧コンバータとして構成しています。このコンバータは、24Vin ～ 60Vin (公称 48Vin) の入力電圧で動作し、5V の安定化出力を生成して公称 30A の電流を負荷に供給するほか、ピーク電流能力は 60A に達します。このデザインは、6 層 PCB を使用した構造であり、6 層のそれぞれで 2 オンスの銅箔を採用しています。この評価ボードのサイズは 5.0 インチ x 3.4 インチ (...)
試験報告書: PDF
リファレンス・デザイン
TIDA-010090 — 4 チャネル、50A、デジタル制御バッテリ セル テスタのリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、C2000™ リアルタイム マイコン (MCU) と、高精度 A/D コンバータ (ADC) である ADS8588S を使用し、双方向の降圧コンバータ電力段の電流と電圧を制御する方法を提示します。このデザインは、C2000 マイコンの高分解能 PWM (パルス幅変調) 生成ペリフェラルを使用し、±10mA 未満の電流安定化誤差と ±1mV の電圧安定化誤差を実現します。
設計ガイド: PDF
リファレンス・デザイン
PMP23421 — マルチフェーズ、4 スイッチ、昇降圧 DC/DC コンバータのリファレンス デザイン
このリファレンス デザインは、バッテリ バックアップ (BBU) アプリケーションで使用する、GaN (窒化ガリウム) ベースのデジタル制御型 4 スイッチ昇降圧 DC/DC コンバータです。このデザインには 合計 7 個の相があります。6 個の相を並列接続すると、バッテリ放電動作が可能になり、最大 8.1kW の放電電力を供給します。7 番目の相は、バッテリ充電動作に使用します。このコンバータは、VIN (入力電圧) と VOUT (出力電圧) に応じて、降圧、昇降圧、昇圧いずれかのモードで動作し、各モード間で滑らかに遷移します。
試験報告書: PDF
| パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
|---|---|---|
| UNKNOWN (VBE) | 15 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報：
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点