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  • ISOW784x 高効率低放射 DC/DC コンバータ内蔵、高性能、5000VRMS 強化絶縁、クワッド・チャネル・デジタル・アイソレータ

    • JAJSCZ6G March   2017  – August 2021 ISOW7840 , ISOW7841 , ISOW7842 , ISOW7843 , ISOW7844

      PRODUCTION DATA  

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  • ISOW784x 高効率低放射 DC/DC コンバータ内蔵、高性能、5000VRMS 強化絶縁、クワッド・チャネル・デジタル・アイソレータ
  1. 1 特長
  2. 2 アプリケーション
  3. 3 概要
  4. 4 改訂履歴
  5. 5 概要 (続き)
  6. 6 ピン構成および機能
    1.     端子機能
  7. 7 仕様
    1. 7.1  絶対最大定格
    2. 7.2  ESD 定格
    3. 7.3  推奨動作条件
    4. 7.4  熱に関する情報
    5. 7.5  電力定格
    6. 7.6  絶縁仕様
    7. 7.7  安全関連認証
    8. 7.8  安全限界値
    9. 7.9  電気的特性ー 5V 入力、5V 出力
    10. 7.10 電源電流特性— 5V 入力、5V 出力
    11. 7.11 電気的特性ー 3.3V 入力、5V 出力
    12. 7.12 電源電流特性— 3.3V 入力、5V 出力
    13. 7.13 電気的特性ー 5V 入力、3.3V 出力
    14. 7.14 電源電流特性— 5V 入力、3.3V 出力
    15. 7.15 電気的特性ー 3.3V 入力、3.3V 出力
    16. 7.16 電源電流特性ー 3.3V 入力、3.3V 出力
    17. 7.17 スイッチング特性 - 5V 入力、5V 出力
    18. 7.18 スイッチング特性 - 3.3V 入力、5V 出力
    19. 7.19 スイッチング特性 - 5V 入力、3.3V 出力
    20. 7.20 スイッチング特性 - 3.3V 入力、3.3V 出力
    21. 7.21 絶縁特性曲線
    22. 7.22 代表的特性
  8. 8 パラメータ測定情報
  9. 9 詳細説明
    1. 9.1 概要
    2. 9.2 機能ブロック図
    3. 9.3 機能説明
      1. 9.3.1 電磁両立性 (EMC) に関する検討事項
      2. 9.3.2 パワーアップ動作とパワーダウン動作
      3. 9.3.3 過電流制限、過熱保護
    4. 9.4 デバイスの機能モード
      1. 9.4.1 デバイス I/O 回路図
  10. 10アプリケーションと実装
    1. 10.1 アプリケーション情報
    2. 10.2 代表的なアプリケーション
      1. 10.2.1 設計要件
      2. 10.2.2 詳細な設計手順
      3. 10.2.3 アプリケーション曲線
        1. 10.2.3.1 絶縁寿命
  11. 11電源に関する推奨事項
  12. 12レイアウト
    1. 12.1 レイアウトのガイドライン
      1. 12.1.1 PCB 材料
    2. 12.2 レイアウト例
  13. 13デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 13.1 デバイスのサポート
      1. 13.1.1 開発サポート
    2. 13.2 ドキュメントのサポート
      1. 13.2.1 関連資料
    3. 13.3 関連リンク
    4. 13.4 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    5. 13.5 サポート・リソース
    6. 13.6 商標
    7. 13.7 Electrostatic Discharge Caution
    8. 13.8 Glossary
  14. 14メカニカル、パッケージ、および注文情報
  15. 重要なお知らせ
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DATA SHEET

ISOW784x 高効率低放射 DC/DC コンバータ内蔵、高性能、5000VRMS 強化絶縁、クワッド・チャネル・デジタル・アイソレータ

このリソースの元の言語は英語です。 翻訳は概要を便宜的に提供するもので、自動化ツール (機械翻訳) を使用していることがあり、TI では翻訳の正確性および妥当性につきましては一切保証いたしません。 実際の設計などの前には、ti.com で必ず最新の英語版をご参照くださいますようお願いいたします。

1 特長

  • 100Mbps のデータ・レート
  • 堅牢な絶縁バリア：
    • 1 kVRMS の動作電圧で 100 年を超える予測寿命
    • 最高 5000VPK の絶縁定格
    • 最高 10 kVPK のサージ耐量
    • 最小 CMTI：±100kV/µs
  • 高効率の DC/DC コンバータとオンチップ変圧器を内蔵
  • 3V～5.5V の広い入力電源範囲
  • レギュレートされた 5V または 3.3V 出力
  • 最大 0.65W の出力電力
  • 5V から 5V へ、5V から 3.3V へ：利用可能負荷電流：130mA 以上
  • 3.3V から 3.3V へ：利用可能負荷電流：75mA 以上
  • 3.3V から 5 V へ：利用可能負荷電流：40mA 以上
  • ソフトスタートにより突入電流を制限
  • 過負荷および短絡保護
  • サーマル・シャットダウン
  • デフォルト出力：HIGH と LOW を選択可能
  • 小さい伝搬遅延時間：標準値 13ns (5V 電源)
  • 堅牢な電磁両立性 (EMC)
    • システム・レベルの ESD、EFT、サージ耐性
    • 絶縁バリアの両側で ±8kV の IEC 61000-4-2 接触放電保護
    • 低い放射
  • 16 ピンのワイド SOIC パッケージ
  • 拡張温度範囲：–40℃～+125℃
  • 安全関連認証：
    • DIN V VDE V 0884-11:2017-01 に準拠した強化絶縁耐圧：7071VPK
    • UL 1577 に準拠した絶縁耐圧：5000VRMS (1 分間)
    • IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 60601-1 最終機器規格による CSA 認証
    • Gb4943.1-2011 による CQC 認定
    • EN 60950-1 および EN 61010-1による TUV 認証

2 アプリケーション

  • 産業用オートメーション
  • モーター制御
  • グリッド・インフラストラクチャ
  • 医療用機器
  • 試験および測定機器

3 概要

ISOW784x デバイス・ファミリは、高効率の電力コンバータを内蔵した、高性能、クワッド・チャネル強化デジタルアイソレータです。内蔵の DC/DC コンバータは、最大 650mW の絶縁電力を高効率で供給し、各種の入力および出力電圧に構成可能です。このため、これらのデバイスを使用すると、スペースの制約が厳しい絶縁設計において別個の絶縁電源が不要になります。

製品情報
部品番号(1)パッケージ本体サイズ (公称)
ISOW7840
ISOW7841
ISOW7842
ISOW7843
ISOW7844		SOIC (16)10.30mm × 7.50mm
(1) 利用可能なパッケージについては、このデータシートの末尾にある注文情報を参照してください。
GUID-DC4FBC50-830A-4401-BD87-8601DFE5BA19-low.gif
VCCは GND1 を基準とする一次電源電圧です。VISOは GND2 を基準とする絶縁電源電圧です。
VSI および VSO は、チャネルの方向により VCC または VISO のいずれかです。
VSI は GNDI を基準とする入力側電源電圧、VSO は GNDO を基準とする出力側電源電圧です。
概略回路図

4 改訂履歴

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLF (March 2019)to RevisionG (August 2021)

  • 全体を通して 3.3V から 5V の電力コンバータのサポートを追加Go
  • 全体を通して 100 uF コンデンサへの言及を削除Go
  • 二次側 VISO 監視についての段落を削除Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLE (November 2017)to RevisionF (March 2019)

  • ドキュメント全体を通して編集上および体裁上の変更Go
  • 「Topic Link Label1」に「堅牢な絶縁バリア」の箇条書き項目を追加Go
  • 「Topic Link Label1」に「1kVRMS の動作電圧で 100 年を超える予測寿命」の箇条書き項目を追加Go
  • 「Topic Link Label1」に「最大 5000VRMS の絶縁定格」の箇条書き項目を追加Go
  • 「Topic Link Label1」に「最大 10kVPK のサージ能力」の箇条書き項目を追加Go
  • 「Topic Link Label1」に「絶縁バリアの両側で ±8kV の IEC 61000-4-2 接触放電保護」箇条書き項目を追加Go
  • 「図 3-1」を更新し、絶縁信号チャネルに 1 つのコンデンサではなく、2 つの絶縁コンデンサを直列に記載Go
  • Topic Link Label7.2 表に「IEC 61000-4-2 準拠の接触放電、絶縁バリア耐性試験」の仕様値 ± 8000 を追加Go
  • Topic Link Label7.2 表に「IEC 試験では、バリアのそれぞれの側にあるすべてのピンを互いに接続して 2 つの端子を持つデバイスを構成し、バリアをはさんで ESD 衝撃を印加します。」の注記を追加Go
  • Topic Link Label7.3 表から「TJ 接合部温度」パラメータを削除。これは既に Topic Link Label7.1 表に記載されているため。Go
  • VIOWM 仕様のテスト条件に「図 10-5 を参照」を追加Go
  • 図 8-2 に次の注を追加 。「VCC と GND1 の間に100µF コンデンサを追加できます。Topic Link Label11 を参照してください。」Go
  • ISOW7841-Q1 を使用する ADC センシング・アプリケーション向けの絶縁電源および SPI に以下の注を追加。「VCC と GND1 の間に 100 µF コンデンサを追加できます。「電源に関する推奨事項」を参照してください。」Go
  • Topic Link Label10.2.1 に次のテキストを追加。 「VCC ピンと GND1 ピンの間に100µF のデカップリング・コンデンサを追加できます。詳細については、 Topic Link Label11 を参照してください。」Go
  • 図 10-2に、次の注を追加 。「VCC と GND1 の間に100 µF コンデンサを追加できます。Topic Link Label11 を参照 してください。」Go
  • Topic Link Label10.2.3 セクションの下に Topic Link Label10.2.3.1 サブセクションを追加Go
  • 入力デカップリング・コンデンサは出力コンデンサより少なくとも 100µF 大きくする必要があることを強調するため、Topic Link Label11 セクションにテキストを追加Go
  • 図 12-1 に、以下の注を追加。「VCC と GND1 の間に100µF コンデンサを追加できます。Topic Link Label11 を参照してください。」Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLD (November 2017)to RevisionE (November 2017)

  • ISOW7843 デバイスをプレビューから量産データに変更Go
  • 各「電源電流特性」表に ISOW7843 電流パラメータを追加Go
  • 「代表的特性」セクションに ISOW7843 の電源電流とデータ・レートのグラフを追加Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLC (October 2017)to RevisionD (November 2017)

  • ISOW7840 デバイスをプレビューから量産データに変更Go
  • 各「電源電流特性」表に ISOW7840 電流パラメータを追加Go
  • 各「電源電流特性」表の ISOW7841 電流パラメータのテスト条件で、IISO を ILOAD に変更、波形クロック入力の値を 0.5、5、50MHz から 1、10、100Mbps に変更Go
  • 各「電源電流特性」表の ISOW7842 および ISOW7844 デバイスについて、絶縁電源で得られる電流パラメータの外部 ILOADなしというテスト条件を削除Go
  • VDE による安全限界電流の熱特性低下曲線の曲線のラベルを変更Go
  • 「代表的特性」セクションに ISOW7840 の電源電流とデータ・レートのグラフを追加Go
  • 「デバイス I/O 回路図」の接尾辞 F 付きデバイス入力回路図と SEL ピンの図でグランド記号を変更Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLB (June 2017)to RevisionC (October 2017)

  • 「安全関連認証 」の特長リストを変更Go
  • 絶縁仕様の見出し行をDIN V VDE 0884-10 (VDE V 0884-10): 2016-12 からDIN V VDE 0884-11:2017-01 に変更Go
  • 絶縁仕様の VIOSM テスト条件を変更Go
  • 絶縁仕様の VISO(UL) テスト条件を変更Go
  • 「安全関連認証」表を変更Go
  • 「安全限界値」表の注 1 を変更Go
  • 各「電源電流」表に ISOW7842 電流パラメータを追加Go
  • 「代表的特性」セクションに ISOW7842 の電源電流とデータ・レートのグラフを追加Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTMLA (March 2017)to RevisionB (June 2017)

  • 各「電源電流」表に ISOW7844 電流パラメータを追加Go

Date Letter Revision History Changes Intro HTML* (March 2017)to RevisionA (March 2017)

  • すべての「スイッチング特性」表で、最大伝搬遅延時間およびパルス幅歪みの標準値および最大値を変更Go
  • 「スイッチング特性 - 5V 入力、3.3V 出力」 表で、出力信号の立ち上がりおよび立ち下がり時間の最大値を 3ns から 4ns に変更Go

5 概要 (続き)

ISOW784x デバイス・ファミリは、CMOS または LVCMOS デジタル I/O を絶縁すると同時に、高い電磁気耐性と低い放射を実現します。信号絶縁チャネルでは、二酸化ケイ素 (SiO2) の二重容量性絶縁バリアによって、ロジック入力および出力バッファが分離されています。また電力絶縁には、薄膜ポリマーを絶縁素材としたオンチップのトランスを使用しています。順方向および逆方向チャネルのさまざまな構成を利用可能です。入力信号が消失した場合のデフォルト出力は、ISOW784x デバイス (接尾辞 F なし)では HIGH となり、 接尾辞 F 付きのデバイスでは LOW となります (VSI および VSO は、チャネル方向によって、VCC または VISO のいずれかになります)。

これらのデバイスを使えば、RS-485、RS-232、CAN などのデータバスまたは他の回路のノイズ電流がローカル・グランドに混入することによる敏感な回路への干渉や、敏感な回路の損傷を引き起こすことを防止できます。革新的なチップ設計およびレイアウト技法により、本デバイスは電磁環境適合性が大幅に強化されているため、システム・レベルの ESD、EFT、サージ、および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。電力コンバータの効率が高いため、より高い周囲温度での動作が可能です。このデバイスは、16 ピンの SOIC ワイド・ボディ (SOIC-WB) DWE パッケージで供給されます。

 
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