GERY013C january 2023 – april 2023 LMQ61460-Q1 , TPS54319 , TPS62088 , TPS82671 , UCC12040 , UCC12050
In einem Abwärtswandler tritt eine Sperrverzögerung auf, wenn der High-Side-MOSFET eingeschaltet wird, während die Bodydiode des Low-Side-MOSFET Strom leitet, wodurch der Strom der Low-Side-Diode gezwungen wird, schnell auf den High-Side-MOSFET überzugehen. Bei diesem Übergang wird zur Entfernung der Minoritätsladung der Low-Side-Diode, die einen direkten Schaltverlust verursacht, ein Strom benötigt; siehe Gleichung 4.
Einer der besten Ansätze zur Verringerung der Auswirkungen der Sperrverzögerung von Dioden besteht darin, die gespeicherte Ladung (QRR) durch ein optimiertes MOSFET-Design zu reduzieren oder die Totzeit der steigenden Flanke zu verringern bzw. zu eliminieren, sodass die Auswirkungen des Verlusts komplett rückgängig gemacht werden.