주요 제한 요소 2: 역복구 손실

벅 컨버터에서 역 복구는 저압측 MOSFET의 바디 다이오드가 전류를 전도 중인 동안 고압측 MOSFET가 켜질 때 발생하며, 그에 따라 저압측 다이오드 전류가 빠르게 고압측 MOSFET로 강제 전환됩니다. 전환 도중 직접 스위칭 손실을 유발하는 저압측 다이오드 소수 전하를 제거하는 데 전류가 필요합니다. 방정식 4을(를) 참조하세요.

방정식 4.

E_{R R} = (V_{I N} \times I_{L} {\times t}_{R R}) + (V_{I N} {\times Q}_{R R})

다이오드 역복구의 영향을 줄이는 최적의 접근 방식 중 하나는 최적화된 MOSFET 설계를 통해 보관된 전하(Q_RR)를 줄이거나 상승 에지 데드 타임을 감소 또는 제거하여 손실의 영향을 완전히 없애는 것입니다.