I_Q 감소는 또한 더 큰 패시브 또는 IC 패키지 크기에 필요한 보드 면적이 증가하는 결과를 초래할 수 있습니다. LDO와 DC/DC 변환기 모두를 위한 대용량 커패시터와 같은 더 큰 외부 패시브는 나노 전력 장치에서 일반적으로 사용되며, 보통 더 낮은 과도 성능을 보상하는 데 사용됩니다. 패키지 영역이 클수록 다이 영역이 커질 수 있습니다.

1µA 미만인 I_Q로 다이 분해를 육안으로 검사하는 경우 저항기와 커패시터는 내부 비전계 효과 트랜지스터(FET) 다이 영역의 20% 이상을 차지합니다. I_Q 영역 문제를 해결하기 위한 여러 솔루션이 있지만, 시중에서 가장 적합한 솔루션을 걸러내는 쉬운 방법은 다음과 같은 간단한 FOM을 적용하는 것입니다. I_Q에 가장 작은 패키지 영역을 곱합니다. 데이터 시트에서 관련 정보를 가져와 FOM에 액세스할 수 있습니다. 제공되는 가장 작은 패키지를 보면 더 작은 다이 영역에 대한 단서를 얻을 수 있습니다.

I_Q가 가장 낮고 가장 작은 패키지를 모두 사용할 수 있는 장치를 선택하는 것은 일반적으로 I_Q 영역 효율성이 좋다는 것을 의미합니다.