저 I_Q 바이어싱에 수반되는 증폭기의 자체 잡음이 증가하는 것도 극복해야 할 장애물입니다. LDO에서 가장 많은 잡음을 일으키는 것으로 표시된 그림 7의 내부 블록은 레퍼런스 시스템(밴드 갭), 오류 증폭기 및 출력 전압을 확장하는 저항 분할기입니다.그림 7 그림 8은 일반적인 잡음 프로필과 주파수 관계를 보여줍니다.그림 8 이러한 블록에서 생성되는 두 가지 주요 잡음 유형은 다음과 같습니다.

• 열 잡음(4kTR 잡음이라고도 함)은 사용되는 저항과 선형적으로 비례하기 때문에 초저 I_Q 설계의 경우 특히 중요합니다. 오류 증폭기 및 레퍼런스 블록에 사용되는 저항 분할 바이어스 전류와 저항 분할기에 사용되는 저항은 모두 1kHz 이상의 주파수에서 열 잡음의 주요 원인입니다.
• 플리커 잡음(1/f 잡음이라고도 함)은 레퍼런스 시스템과 오류 증폭기에서 차동 쌍의 크기를 증가시켜 완화할 수 있는 100Hz 미만의 저주파 잡음입니다. 그러나 이렇게 큰 크기 조정은 나노 전력 설계에 장애물이 됩니다. 나노 전력 설계는 자가 유발 누출을 증가시키고 정전 용량을 추가하여 응답 시간이 느려지기 때문입니다.

주어진 I_Q에 대한 결과 잡음을 평가하는 간단한 방법은 해당 주파수 범위의 통합 잡음과 관심 작동 지점의 I_Q를 곱하는 것입니다. 일반적으로 장치 관련 데이터 시트에서 두 숫자를 모두 찾을 수 있습니다.