NESY036B September   2021  – April 2023 BQ25125 , LM5123-Q1 , LMR43610 , LMR43610-Q1 , LMR43620 , LMR43620-Q1 , TPS22916 , TPS3840 , TPS62840 , TPS63900 , TPS7A02

 

  1.   1
  2.   概覽
  3.   摘要
  4.   影響 IQ 的因素
  5.   低 IQ 為何產生新挑戰
    1.     瞬態回應
    2.     漣波
    3.     雜訊
    4.     晶粒尺寸與解決方案面積
    5.     洩漏與低於閾值的操作
  6.   如何打破低 IQ 障礙
    1.     解決瞬態回應問題
    2.     解決切換雜訊問題
    3.     解決其他雜訊問題
    4.     解決晶粒尺寸與解決方案面積問題
    5.     解決洩漏與低於閾值的操作問題
  7.   電氣特性
    1.     18
    2.     避免低 IQ 設計中的潛在系統陷阱
    3.     實現低 IQ 但不犧牲靈活性
    4.     減少外部零組件數以降低汽車應用中的 IQ
    5.     智慧使用或在智慧使用支援低 IQ 的啟用功能，或啟用在系統層級支援低 IQ 的功能
  8.   結論
  9.   低 IQ的重要產品類別

電氣特性

指定於 TJ = –40°C 至 +125°C，VIN = VOUT(nom) + 0.5 V 或 2.0 V (取較大者)，IOUT = 1 mA，VEN = VIN，及 CIN = COUT = 1 µF (除非另有說明)。TJ = 25°C 的典型值。

表 1 TPS7A02 產品規格書中的 IGND 和 ISHDN 變化。
參數 測試條件 最小值 典型值 最大值 單位
額定準確度 TJ = 25°C，VOUT ≥ 1.5 V，1 µA(1) ≤ IOUT ≤ 1 mA -1 1 %
TJ = 25°C；VOUT < 1.5 V -15 15 mV
在溫度範圍內擁有高精確度 VOUT ≥ 1.5 V TJ = –40°C 至 +125°C -1.5 1.5 %
VOUT ≥ 1.5 V -20 20 mV
(ΔVIN) 線路調整 VOUT(nom)+ 0.5 V ≤ VIN ≤ 6.0 V (1) TJ = –40°C 至 +125°C 5 mV
ΔVOUT (ΔIOUT) 線路調整 (2) 1 mA ≤ IOUT ≤ 200 mA，VIN = VOUT(nom) + 0.5 V (2) TJ = –40°C 至 +85°C 20 38 mV
TJ = –40°C 至 +125°C 50
IGND 接地電流 IOUT = 0 mA TJ = 25°C 25 46 nA
TJ = –40°C 至 +85°C 60
IGND/IOUT 接地電流與負載電流的比較 5 µA ≤ IOUT < 1 mA TJ = 25°C 1 %
1 mA ≤ IOUT < 100 mA 0.25
IOUT ≥ 100 mA 0.15
IGND(DO) 壓降中的接地電流 (3) IOUT = 0 mA，VIN = 95% x VOUT(nom) TJ = 25°C 25 nA
ISHDN 關機電流 VEN = 0 V, 1.5 V ≤ VIN ≤ 5.0 V, TJ = 25°C TJ = 25°C 3 10 nA
(1) VIN = 2.0 V，適用 VOUT ≤1.5 V
(2) 線路調整在 IOUT = 1 mA 時標準化至輸出電壓。
(3) 依設計指定