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TS12A4516

AKTIV

1-kanaliger Universal-Analogschalter (Active-High), doppelte Spannungsversorgung mit ±6 V, 1:1 (SPST

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TS12A4516

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Produktdetails

Configuration 1:1 SPST Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3, 5 Power supply voltage - dual (V) +/-10, +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 12 CON (typ) (pF) 14.5 ON-state leakage current (max) (µA) 0.01 Supply current (typ) (µA) 20 Bandwidth (MHz) 464 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 20 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 11 Negative rail supply voltage (max) (V) -1.65
Configuration 1:1 SPST Number of channels 1 Power supply voltage - single (V) 2.5, 3.3, 5 Power supply voltage - dual (V) +/-10, +/-5 Protocols Analog Ron (typ) (Ω) 12 CON (typ) (pF) 14.5 ON-state leakage current (max) (µA) 0.01 Supply current (typ) (µA) 20 Bandwidth (MHz) 464 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Input/output continuous current (max) (mA) 20 Rating Catalog Drain supply voltage (max) (V) 5.5 Supply voltage (max) (V) 11 Negative rail supply voltage (max) (V) -1.65
SOIC (D) 8 29.4 mm² 4.9 x 6 SOT-23 (DBV) 5 8.12 mm² 2.9 x 2.8
  • ±1-V to ±6-V Dual-Supply Operation
  • Specified ON-State Resistance:
    • 25 Max With ±5-V Supply
    • 35 Max With ±3.3-V Supply
    • 47 Max With ±1.8-V Supply
  • Specified Low OFF-Leakage Currents:
    • 5 nA at 25°C
    • 10 nA at 85°C
  • Specified Low ON-Leakage Currents:
    • 5 nA at 25°C
    • 10 nA at 85°C
  • Low Charge Injection: 13 pC (±5-V Supply)
  • Fast Switching Speed:
    tON = 85 ns, tOFF = 50 ns (±5-V Supply)
  • Break-Before-Make Operation (tON > tOFF)
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2500-V Human-Body Model (A114-F)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101-C)
    • 250-V Machine Model (A115-A)
  • ±1-V to ±6-V Dual-Supply Operation
  • Specified ON-State Resistance:
    • 25 Max With ±5-V Supply
    • 35 Max With ±3.3-V Supply
    • 47 Max With ±1.8-V Supply
  • Specified Low OFF-Leakage Currents:
    • 5 nA at 25°C
    • 10 nA at 85°C
  • Specified Low ON-Leakage Currents:
    • 5 nA at 25°C
    • 10 nA at 85°C
  • Low Charge Injection: 13 pC (±5-V Supply)
  • Fast Switching Speed:
    tON = 85 ns, tOFF = 50 ns (±5-V Supply)
  • Break-Before-Make Operation (tON > tOFF)
  • Latch-Up Performance Exceeds 100 mA Per JESD 78, Class II
  • ESD Performance Tested Per JESD 22
    • 2500-V Human-Body Model (A114-F)
    • 1000-V Charged-Device Model (C101-C)
    • 250-V Machine Model (A115-A)

The TS12A4516/TS12A4517 are single pole/single throw (SPST), low-voltage, dual-supply CMOS analog switches, with very low switch ON-state resistance. The TS12A4516 is normally open (NO). The TS12A4517 is normally closed (NC).

These CMOS switches can operate continuously with a dual supplies between ±1 V and ±6 V [(2 V < (V+ – V–) < 12 V]. Each switch can handle rail-to-rail analog signals. The OFF-leakage current maximum is only 5 nA at 25°C or 10 nA at 85°C.

For pin-compatible parts for use with single supply, see the TS12A4514/TS12A4515.

The TS12A4516/TS12A4517 are single pole/single throw (SPST), low-voltage, dual-supply CMOS analog switches, with very low switch ON-state resistance. The TS12A4516 is normally open (NO). The TS12A4517 is normally closed (NC).

These CMOS switches can operate continuously with a dual supplies between ±1 V and ±6 V [(2 V < (V+ – V–) < 12 V]. Each switch can handle rail-to-rail analog signals. The OFF-leakage current maximum is only 5 nA at 25°C or 10 nA at 85°C.

For pin-compatible parts for use with single supply, see the TS12A4514/TS12A4515.
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Technische Dokumentation

star =Von TI ausgewählte Top-Empfehlungen für dieses Produkt
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Typ Titel Datum
* Data sheet Dual-Supply Low ON-State Resistance SPST CMOS Analog Switches datasheet (Rev. B) 14 Apr 2009
Application note Selecting the Correct Texas Instruments Signal Switch (Rev. E) PDF | HTML 02 Jun 2022
Application note Multiplexers and Signal Switches Glossary (Rev. B) PDF | HTML 01 Dez 2021
Application note Preventing Excess Power Consumption on Analog Switches 03 Jul 2008
Application note Semiconductor Packing Material Electrostatic Discharge (ESD) Protection 08 Jul 2004

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

DIP-ADAPTER-EVM — Evaluierungsmodul für DIP-Adapter

Schnelleres Entwickeln von Operationsverstärker-Prototypen und Testen derselben mit dem DIP-Adapter-EVM, welches eine schnelle, einfache und preiswerte Möglichkeit zum Verbinden mit kleinen, oberflächenmontierbaren ICs über eine Schnittstelle bietet. Sie können jeden unterstützten (...)

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Schnittstellenadapter

LEADED-ADAPTER1 — Oberflächenmontierbarer DIP-Header-Adapter zur schnellen Prüfung der 5-, 8-, 10-, 16- und 24-poligen

The EVM-LEADED1 board allows for quick testing and bread boarding of TI's common leaded packages.  The board has footprints to convert TI's D, DBQ, DCT,DCU, DDF, DGS, DGV, and PW surface mount packages to 100mil DIP headers.     

Benutzerhandbuch: PDF
Nicht verfügbar auf TI.com
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
SOT-23 (DBV) 5 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

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Beinhaltete Information:
  • RoHS
  • REACH
  • Bausteinkennzeichnung
  • Blei-Finish/Ball-Material
  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
  • MTBF-/FIT-Schätzungen
  • Materialinhalt
  • Qualifikationszusammenfassung
  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
Beinhaltete Information:
  • Werksstandort
  • Montagestandort

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